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J-GLOBAL ID：200903062575668934

電界効果型半導体装置およびその製造方法

Inventor：
村井 成行

About 村井 成行


Applicant, Patent owner：
三洋電機株式会社

About 三洋電機株式会社


Agent (1)： 福島 祥人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996258324
Publication number (International publication number)：1998107043
Application date： Sep. 30, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 高い効率でかつ低い電源電圧で動作可能であり、高い歩留りで製造可能な電界効果型半導体装置およびその製造方法を提供することである。【解決手段】 n型チャネル領域3の一部に、イオン注入法により、n型チャネル領域3よりも低いキャリア濃度を有するn- 領域10を表面から所定の深さに至るように形成する。n- 領域10を含むn型チャネル領域3上にゲート電極8を形成する。これにより、n型チャネル領域3中でn- 領域10の周囲に形成される空乏層11により電流の流れを制御する。
Claim (excerpt)：
一導電型のチャネル領域上にゲート電極が形成された電界効果型半導体装置において、前記ゲート電極下の前記チャネル領域の一部に前記チャネル領域よりも低いキャリア濃度または前記一導電型と逆の導電型の空乏層形成用領域が前記ゲート電極との界面から所定の深さに至るように形成されたことを特徴とする電界効果型半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/812
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開昭63-062274
  • GaAs電界効果トランジスタの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-294722   Applicant：松下電器産業株式会社
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-005869   Applicant：株式会社村田製作所
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