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J-GLOBAL ID：200903062741042259

半導体素子

Inventor： 柴田 智彦 ,  小田 修 ,  浅井 圭一郎 ,  田中 光浩
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (1)： 杉村 興作 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001163592
Publication number (International publication number)：2002359255
Application date： May. 31, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】設計値どおりに十分高い性能指数を発揮することが可能な、電子デバイスなどの半導体素子を提供する。【解決手段】抵抗率が1×105Ωcm以下の導電性SiCからなる基材1上に、少なくともAlを含む窒化物半導体からなる下地層2を、好ましくは2μm以上の厚さに形成する。そして、下地層2上に、素子としての機能を果たし、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む、例えば導電層3などから構成される窒化物半導体層群を形成する。

Claim (excerpt)：

抵抗率が1×105Ωcm未満の導電性SiCからなる基材と、この基材上に形成された、少なくともAlを含む窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上に形成された、Al、Ga、及びInの少なくとも一つを含む窒化物半導体層群とを具えることを特徴とする、半導体素子。

IPC (5)：

H01L 21/338 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/72 H

F-Term (21)：

5F003BA01 ,  5F003BA92 ,  5F003BF06 ,  5F003BH08 ,  5F003BM01 ,  5F003BM03 ,  5F003BP32 ,  5F102FA00 ,  5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GS02 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-235336   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-192625   Applicant：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-315860   Applicant：松下電器産業株式会社