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J-GLOBAL ID：200903062789546976

欠陥検査装置

Inventor： 冨田 幸治 ,  前嶋 宗郎 ,  児玉 佳孝 ,  小室 仁 ,  松井 繁 ,  武田 一男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998336865
Publication number (International publication number)：1999237225
Application date： Nov. 27, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】【課題】本発明は、半導体試料の欠陥解析に好適な欠陥検査装置を提供することを目的とする。【解決手段】被検体に光を照射することによって得られる該検体からの光情報に基づいて、前記検体の表面及び/又は検体に内在する欠陥を検出する欠陥検査装置において、前記光情報に基づいて前記欠陥の存在する深さ、及び前記欠陥の分布を検出する検出手段と、欠陥の存在する深さを設定する設定手段と、前記検出手段で得られた欠陥の分布を表示する手段を備え、該表示手段は前記設定手段によって設定された深さに相当する欠陥の分布を表示する。

Claim (excerpt)：

被検体に光を照射することによって得られる該検体からの光情報に基づいて、前記検体の表面及び/又は検体に内在する欠陥を検出する欠陥検査装置において、前記光情報に基づいて前記欠陥の存在する深さ、及び前記欠陥の分布を検出する検出手段と、欠陥の存在する深さを設定する設定手段と、前記検出手段で得られた欠陥の情報を表示する手段を備え、該表示手段は前記設定手段によって設定された深さに相当する欠陥の情報を表示することを特徴とする欠陥検査装置。

IPC (3)：

G01B 11/30 ,  G01N 21/88 ,  H01L 21/66

FI (3)：

G01B 11/30 D ,  H01L 21/66 N ,  G01N 21/88 645 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平4-024541
  
• プロセス異常監視方法および装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-002736   Applicant：株式会社日立製作所
• 電子部品の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-080200   Applicant：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社
• 半導体ウェハの不良解析装置及び不良解析方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-101181   Applicant：三菱電機株式会社, 菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社
• 半導体基板表面欠陥の検査方法及びその自動検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-023248   Applicant：住友シチックス株式会社
• 特開平4-024541