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J-GLOBAL ID：200903062991477870

Cr-N基歪抵抗膜およびその製造法ならびに歪センサ

Inventor：
丹羽 英二

About 丹羽 英二

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佐々木 祥弘

About 佐々木 祥弘

, 
増本 剛

About 増本 剛


Applicant, Patent owner：
財団法人電気磁気材料研究所

About 財団法人電気磁気材料研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997108039
Publication number (International publication number)：1998270201
Application date： Mar. 21, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：
【要約】【目的】本発明は、CrおよびNと所要の副成分からなり、ゲージ率が2以上で、且つ抵抗温度係数が(-4〜4)×10-4/°C以内であるCr-N基歪抵抗膜およびその製造法を提供するにある。また、前記歪抵抗膜よりなる歪センサを提供するにある。【構成】一般式Cr100-x-yNxMyで表され、MはTi、V、Nb、Ta、Ni、Zr、Hf、Si、Ge、C、0、P、Se、Te、Zn、Cu、Bi、Fe、Mo、W、As、Sn、Sb、Pb、B、Ga、In、Tl、Ru、Rh、Re、Os、Ir、Pt、Pd、Ag、Au、Co、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Mn、Alおよび希土類元素から選択される1種または2種以上の元素であり、組成造x、yは原子%で0.0001≦x≦30、0≦y≦30、0.0001≦x+y≦50なる関係を有し、結晶構造が主としてbcc構造または主としてbcc構造とA15型構造との混合組織からなり、ゲージ率が2以上で、且つ電気抵抗の温度係数が(-4〜4)×10-4/°C以内であることを特徴とするCr-N基歪抵抗膜。
Claim (excerpt)：
一般式Cr100-x-yNxMyで表され、MはTi、V、Nb、Ta、Ni、Zr、Hf、Si、Ge、C、O、P、Se、Te、Zn、Cu、Bi、Fe、Mo、W、As、Sn、Sb、Pb、B、Ga、In、Tl、Ru、Rh、Re、Os、Ir、Pt、Pd、Ag、Au、Co、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Mn、Alおよび希土類元素から選択される1種または2種以上の元素であり、組成比x、yは原子%で0.0001≦x≦30、0≦y≦30、0.0001≦x+y≦50なる関係を有し、結晶構造が主としてbcc構造または主としてbcc構造とA15型構造との混合組織からなり、ゲージ率が2以上で、且つ電気抵抗の温度係数が(-4〜4)×10-4/°C以内であることを特徴とするCr-N基歪抵抗膜。
IPC (3)：
H01C 7/00 ,  G01B 7/16 ,  H01C 17/00
FI (3)：
H01C 7/00 D ,  G01B 7/16 ,  H01C 17/00 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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