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J-GLOBAL ID：200903063086037855

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
鈴村 功

About 鈴村 功

, 
小田 克矢

About 小田 克矢


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (3)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005004744
Publication number (International publication number)：2006196564
Application date： Jan. 12, 2005
Publication date： Jul. 27, 2006
Summary：
【課題】 本願発明は、半導体多層膜を構成する各層の界面において、酸素と炭素濃度を低減した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 第1の成長室内で単結晶基板上に第1の半導体層を形成し、第1の成長室から搬送室を介して第2の成長室に基板を搬送し、第2の成長室内で前記第1の半導体層の上に第2の半導体層を形成する。基板搬送を行うときに、第1の半導体層の表面原子数よりも第1の半導体層の表面原子と結合している水素の原子数の方が少ないときは水素を供給し、第1の半導体層の表面原子数よりも第1の半導体層の表面原子と結合している水素の原子数の方が多いときは水素の供給を停止する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
単結晶基板上に第1の成長室で第1の半導体層を形成する第1の工程と、前記第1の工程の後に第1の成長室から搬送室を介して、第2の半導体層を成長させる為の成長室に基板の搬送を行う第2の工程と、前記第2の工程後に前記第1の半導体層の上に前記第2の半導体層を成長させる為の成長室で第2の半導体層を形成する第3の工程とを少なくとも有し、且つ、前記第2の工程において、前記第1の半導体層表面の水素原子による終端構造に変化を生ずる基板温度に基づき、当該基板温度より高い場合は水素を供給し、一方、当該基板温度より低い場合は水素の供給を停止して超高真空状態を確保することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1)：
H01L 21/205
FI (1)：
H01L21/205
F-Term (14)：
5F045AA06 ,  5F045AA07 ,  5F045AB02 ,  5F045AB05 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE23 ,  5F045AF03 ,  5F045BB14 ,  5F045CA02 ,  5F045DQ17 ,  5F045EE14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (4)
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