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J-GLOBAL ID：200903063220817501

III族窒化物半導体の製造方法及びIII族窒化物半導体発光素子

Inventor：
小池 正好

About 小池 正好

, 
永井 誠二

About 永井 誠二


Applicant, Patent owner：
豊田合成株式会社

About 豊田合成株式会社


Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999129322
Publication number (International publication number)：2000323417
Application date： May. 10, 1999
Publication date： Nov. 24, 2000
Summary：
【要約】【課題】貫通転位の無い、又は極めて少ないIII族窒化物半導体を得ること。【解決手段】サファイア基板1上に、窒化アルミニウム(AlN)から成るバッファ層2を、散在するように、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態に形成する。III族窒化物半導体3は散在するバッファ層2には縦方向にエピタキシャル成長し、バッファ層2の存在しない基板1上部においては横方向にエピタキシャル成長する。これにより貫通転位4の無い、又は極めて少ないIII族窒化物半導体3を得ることができる。また、このIII族窒化物半導体3の横方向にエピタキシャル成長させた部分32は結晶性が良く、この上部にIII族窒化物半導体素子を形成すれば、素子特性を向上させることができる。
Claim (excerpt)：
基板を用い、該基板上にはエピタキシャル成長し難いIII族窒化物半導体を結晶成長により製造する方法において、前記基板上に、前記基板の露出部が散在するように、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態に、前記III族窒化物半導体がその上に容易にエピタキシャル成長するバッファ層を形成し、前記バッファ層上に、前記III族窒化物を縦及び横方向成長させることにより前記III族窒化物半導体層を形成したことを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
F-Term (20)：
5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045BB13 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (10)
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