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J-GLOBAL ID:200903064124714021
半導体製造システム及びクリーンルーム
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
福森 久夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995220793
Publication number (International publication number):1997064146
Application date: Aug. 29, 1995
Publication date: Mar. 07, 1997
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、薬品及び超純水の使用量、排出量を低減するとともに、薬品蒸気の発生を抑えることが可能な全工程室温の洗浄方法を確立し、これにより半導体製造装置を高集積・高性能半導体デバイス生産に適した半導体製造システムを提供することを目的とする。さらに、かかる半導体製造システムを設置することにより半導体製造の生産性を極めて高くし、工場のランニングコストを大幅に削減でき、且つ設計の自由度が大幅に向上したクリーンルームを提供することを目的とする。【解決手段】 半導体基板の室温洗浄装置並びに洗浄後の半導体基板を処理する処理装置を、略々プロセス順に配置し、基板搬送距離を略々最短にしたことを特徴とする。
Claim (excerpt):
半導体基板の室温洗浄装置並びに洗浄後の半導体基板を処理する処理装置を、隣接するように配置し、基板搬送距離を略々最短にしたことを特徴とする半導体製造システム。
IPC (5):
H01L 21/68
, F24F 7/06
, H01L 21/02
, H01L 21/205
, H01L 21/304 341
FI (5):
H01L 21/68 A
, F24F 7/06 C
, H01L 21/02 D
, H01L 21/205
, H01L 21/304 341 M
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-213743
Applicant:株式会社日立製作所
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特開平1-140727
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洗浄装置、半導体製造装置及び半導体製造ライン
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-292281
Applicant:大見忠弘
-
リンス方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-090708
Applicant:新日本製鐵株式会社, ニッテツ電子株式会社
-
洗浄装置及びこれを用いた半導体ウエハなどの基板の洗浄方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-208211
Applicant:ソニー株式会社
-
二酸化シリコンおよび窒化ケイ素系膜の表面処理剤
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-018994
Applicant:森田化学工業株式会社
-
カーボン被膜の形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-027232
Applicant:東海カーボン株式会社
-
基板処理装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-071146
Applicant:大日本スクリーン製造株式会社
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