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J-GLOBAL ID：200903063465138243

位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置

Inventor：
野澤 順

About 野澤 順

, 
三ッ井 英明

About 三ッ井 英明


Applicant, Patent owner：
ホーヤ株式会社

About ホーヤ株式会社


Agent (1)： 藤村 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000277354
Publication number (International publication number)：2002090978
Application date： Sep. 12, 2000
Publication date： Mar. 27, 2002
Summary：
【要約】【課題】 ブランクス間における位相角及び透過率のばらつきを極力低減でき、歩留まりの良い位相シフトマスクブランクの製造方法等を提供する。【解決手段】 透明基板上に薄膜がスパッタリング法を用いて連続的に成膜される工程は、透明基板がスパッタ室に搬入され、スパッタ室においてパターンを形成するための薄膜が形成され、スパッタ室から成膜後の透明基板が搬出される一連のプロセスが複数枚の基板に対して順次行われ、その透明基板の搬入と搬出とを略一定間隔で行うことによって、成膜時間を複数枚のブランク間で一定にする工程を含むことを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。
Claim (excerpt)：
透明基板上に、少なくとも位相シフト膜を有する位相シフトマスクブランクを、複数枚連続的に製造する方法において、前記方法は、透明基板上に位相シフト膜がスパッタリング法を用いて連続的に成膜される工程を含み、前記複数枚のブランク間における位相シフト膜の位相角のばらつきが、±2°であることを特徴とする位相シフトマスクブランクの製造方法。
IPC (4)：
G03F 1/08 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/34 ,  H01L 21/027
FI (7)：
G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 Z ,  C23C 14/06 K ,  C23C 14/34 V ,  C23C 14/34 C ,  C23C 14/34 J ,  H01L 21/30 502 P
F-Term (13)：
2H095BA07 ,  2H095BB03 ,  2H095BB25 ,  2H095BB35 ,  4K029BA41 ,  4K029BC08 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC39 ,  4K029JA02 ,  4K029KA01 ,  4K029KA09
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
  • 位相シフトマスク及び位相差測定方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-249108   Applicant：日本電気株式会社
  • 薄膜の形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-068048   Applicant：松下電子工業株式会社
  • 薄膜形成方法及び装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-242186   Applicant：キヤノン株式会社
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