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J-GLOBAL ID：200903079860911516

半導体製造装置および半導体製造方法

Inventor： 松野 年伸 ,  井上 薫 ,  福田 健志
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999044358
Publication number (International publication number)：2000243703
Application date： Feb. 23, 1999
Publication date： Sep. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】 所望のドーピング量または所望の結晶組成を有する半導体層を形成することのできる高性能の半導体製造装置を提供することを目的とする。【解決手段】 内部を気密に保つことができる反応管1と、反応管1の内部に設けられた、半導体を支持するための支持手段2と、反応管1を冷却するための水路10と、反応管1を加熱するための加熱手段16とを有する半導体製造装置における支持手段2上に半導体基板13を載置し、水路10により反応管1を冷却しながら反応管1内に原料ガスを流入することにより半導体基板13上にn型シリコンゲルマニウム層14を形成し、加熱手段16により反応管1を加熱することにより反応管1内に付着した反応生成物を除去し、n型シリコンゲルマニウム層14上にp型シリコンゲルマニウム層15を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体を結晶成長するために内部を気密に保つことのできる反応管と、前記反応管内部に設けられ、半導体を支持するための支持手段と、前記反応管を冷却するための冷却手段と、前記反応管を加熱するための加熱手段とを有することを特徴とする半導体製造装置。

F-Term (12)：

5F045AA07 ,  5F045AB01 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045CA02 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB06 ,  5F045EJ04 ,  5F045EK06 ,  5F045EK11 ,  5F045EM10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 薄膜の成長方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-284233   Applicant：信越半導体株式会社
• プラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-061890   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 基板用熱処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-037202   Applicant：大日本スクリーン製造株式会社
• 半導体薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-127201   Applicant：沖電気工業株式会社
• 化合物半導体の気相成長装置及び気相成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-177898   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭63-181331
  
• 表面清浄化法および薄膜形成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-119726   Applicant：日本電信電話株式会社