Pat
J-GLOBAL ID：200903063641201143

薄膜トランジスタ

Inventor：
加藤 久人

About 加藤 久人

, 
川上 春雄

About 川上 春雄

, 
前田 賢彦

About 前田 賢彦

, 
関根 伸行

About 関根 伸行


Applicant, Patent owner：
富士電機ホールディングス株式会社

About 富士電機ホールディングス株式会社


Agent (5)： 奥山 尚一 ,  有原 幸一 ,  松島 鉄男 ,  河村 英文 ,  岡本 正之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005326085
Publication number (International publication number)：2007134496
Application date： Nov. 10, 2005
Publication date： May. 31, 2007
Summary：
【課題】 活性層としてアモルファス酸化物半導体を用いても、高いオンオフ比を安定して実現することができる薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 薄膜トランジスタは、ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In、Fe、GaまたはAl。m=1以上50未満の整数)を含有する活性層13と、この活性層13に接し、仕事関数の絶対値が4.5〜4.9eVの範囲であるソース電極14およびドレイン電極15とを備えたことを特徴とする。ソース電極14およびドレイン電極15は、クロム、鉄、モリブデン、タングステン、銅、ルテニウムおよびレニウムからなる群から選ばれる少なくとも1つを含有することが好ましい。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In、Fe、GaまたはAl。m=1以上50未満の整数)を含有する活性層と、この活性層に接し、仕事関数の絶対値が4.5〜4.9eVの範囲であるソース電極およびドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタ。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (5)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 M
F-Term (46)：
4M104AA03 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD63 ,  4M104DD68 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE18 ,  4M104GG09 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF24 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110GG04 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK17 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM