薄膜トランジスタ

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文 , 岡本正之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005326085
Publication number (International publication number)：2007134496
Application date： Nov. 10, 2005
Publication date： May. 31, 2007
Summary：

【課題】活性層としてアモルファス酸化物半導体を用いても、高いオンオフ比を安定して実現することができる薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】薄膜トランジスタは、ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In、Fe、GaまたはAl。m=1以上50未満の整数)を含有する活性層13と、この活性層13に接し、仕事関数の絶対値が4.5〜4.9eVの範囲であるソース電極14およびドレイン電極15とを備えたことを特徴とする。ソース電極14およびドレイン電極15は、クロム、鉄、モリブデン、タングステン、銅、ルテニウムおよびレニウムからなる群から選ばれる少なくとも1つを含有することが好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ホモロガス化合物InMO3(ZnO)m(M=In、Fe、GaまたはAl。m=1以上50未満の整数)を含有する活性層と、この活性層に接し、仕事関数の絶対値が4.5〜4.9eVの範囲であるソース電極およびドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417

FI (5)：

H01L29/78 616V , H01L29/78 618B , H01L21/28 301B , H01L21/28 301R , H01L29/50 M

F-Term (46)：

4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD63 , 4M104DD68 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE18 , 4M104GG09 , 5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE08 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110HK02 , 5F110HK04 , 5F110HK17 , 5F110HK32 , 5F110HK33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-266012 Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道

Cited by examiner (4)

ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-266012 Applicant：科学技術振興事業団, 太田裕道
半導体デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-082043 Applicant：科学技術振興事業団
半導体装置及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-262991 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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