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J-GLOBAL ID:200903063786689144

多層配線基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996155794
Publication number (International publication number):1998004261
Application date: Jun. 17, 1996
Publication date: Jan. 06, 1998
Summary:
【要約】【課題】有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体との間に剥離が発生する。【解決手段】絶縁基板1上に、有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導体3とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体3を各有機樹脂絶縁層2に設けたスルーホール5の内壁に被着させたスルーホール導体6を介して接続して成る多層配線基板であって、前記薄膜配線導体3の表面を中心線平均粗さ(Ra)で0.05μm≦Ra≦5μm、表面の2.5mmの長さにおける凹凸の高さ(Pc)のカウント値を0.01μm≦Pc≦0.1μmが30000個以上、0.1μm≦Pc≦1μmが3000個乃至10000個、1μm≦Pc≦10μmが500個以下とした。
Claim (excerpt):
絶縁基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体を各有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールの内壁に被着させたスルーホール導体を介して接続して成る多層配線基板であって、前記薄膜配線導体の表面が中心線平均粗さ(Ra)で0.05μm≦Ra≦5μmであり、且つ表面の2.5mmの長さにおける凹凸の高さ(Pc)のカウント値を0.01μm≦Pc≦0.1μmが30000個以上、0.1μm≦Pc≦1μmが3000個乃至10000個、1μm≦Pc≦10μmが500個以下としたことを特徴とする多層配線基板。
IPC (2):
H05K 3/46 ,  H05K 3/38
FI (4):
H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 G ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/38 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
  • 多層配線基板の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-279056   Applicant:株式会社日立製作所
  • 多層配線板の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-276456   Applicant:松下電工株式会社
  • 絶縁膜の表面処理方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平6-038583   Applicant:沖電気工業株式会社
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