Pat
J-GLOBAL ID:200903063808206746

電磁弁制御装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 朝倉 悟 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000073731
Publication number (International publication number):2001263531
Application date: Mar. 16, 2000
Publication date: Sep. 26, 2001
Summary:
【要約】【課題】 電磁弁の前後の圧力差、すなわち弁体に作用する流体力の変化に応じて補正を行うことにより、制御精度のさらなる向上を図ること。【解決手段】 主通路20に設けられた増圧電磁弁41と、ドレン回路50に設けられた減圧電磁弁42と、これら電磁弁41,42に対してパルス幅変調制御を行って開度を調整するコントロールユニット70と、を備えた電磁弁制御装置において、各電磁弁41,42の前後差圧を検出する差圧検出手段が設けられ、コントロールユニット70を、差圧検出手段で求められた前後差圧に基づいて差圧補正ゲインを算出し、この差圧補正ゲインに基づいて電磁弁41,42に対する出力を補正するよう構成した。
Claim (excerpt):
流体が流通する流路の途中に設けられて流路を遮断した全閉状態と流路を連通させた全開状態とに切替可能な電磁弁と、この電磁弁に対してパルス幅変調制御を行って開度を調整する制御手段と、を備えた電磁弁制御装置において、前記流路における電磁弁の上流と下流との差圧である前後差圧を検出する差圧検出手段が設けられ、前記制御手段は、差圧検出手段で求められた前後差圧に基づいて差圧補正ゲインを算出し、この差圧補正ゲインに基づいて電磁弁に対する出力を補正するよう構成されていることを特徴とする電磁弁制御装置。
IPC (2):
F16K 31/06 310 ,  B60T 8/48
FI (2):
F16K 31/06 310 A ,  B60T 8/48
F-Term (20):
3D046BB00 ,  3D046BB28 ,  3D046CC02 ,  3D046CC04 ,  3D046EE01 ,  3D046HH00 ,  3D046HH02 ,  3D046HH05 ,  3D046HH16 ,  3D046HH25 ,  3D046HH26 ,  3D046HH36 ,  3D046JJ00 ,  3D046LL23 ,  3D046LL50 ,  3H106DA03 ,  3H106EE07 ,  3H106FA04 ,  3H106GC29 ,  3H106KK22
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
Show all

Return to Previous Page