半導体装置およびその製造方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：速水進治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004154268
Publication number (International publication number)：2005340329
Application date： May. 25, 2004
Publication date： Dec. 08, 2005
Summary：

【課題】高誘電率膜を含むN型MOSFETおよびP型MOSFETを備えた半導体装置において、閾値電圧を安定的に低下させるとともに、MOSFET特性を向上させる。【解決手段】半導体装置100は、シリコン基板102と、シリコン基板102上に形成された高濃度高誘電率膜108bおよび多結晶シリコン膜114を含むN型MOSFET118と、シリコン基板102上に、N型MOSFET118に並置して形成された低濃度高誘電率膜108aおよび多結晶シリコン膜114とを含むP型MOSFET120と、を備える。低濃度高誘電率膜108aおよび低濃度高誘電率膜108aは、HfおよびZrからなる群から選択される一または二以上の金属元素を含む。低濃度高誘電率膜108aにおける上記金属元素の濃度は、高濃度高誘電率膜108bにおけるものよりも低い。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、HfおよびZrからなる群から選択される一または二以上の金属元素を含む第一の高誘電率膜により構成された第一のゲート絶縁膜と、前記第一のゲート絶縁膜上に、前記第一の高誘電率膜に接して設けられた多結晶シリコン膜により構成された第一のゲート電極と、を含むN型MOSFETと、前記半導体基板上に、前記N型MOSFETに並置して形成され、HfおよびZrからなる群から選択される一または二以上の金属元素を含む第二の高誘電率膜により構成された第二のゲート絶縁膜と、前記第二のゲート絶縁膜上に、前記第二の高誘電率膜に接して設けられた多結晶シリコン膜により構成された第二のゲート電極と、を含むP型MOSFETと、を備え、前記第二の高誘電率膜において、少なくとも前記多結晶シリコン膜と接する界面における前記金属元素の濃度が、前記第一の高誘電率膜の前記多結晶シリコン膜と接する界面における前記金属元素の濃度よりも低いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L29/78

FI (2)：

H01L27/08 321D , H01L29/78 301G

F-Term (35)：

5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB11 , 5F048BB17 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BG12 , 5F048BG13 , 5F048DA23 , 5F140AA06 , 5F140AB03 , 5F140BA01 , 5F140BD01 , 5F140BD05 , 5F140BD09 , 5F140BD13 , 5F140BD15 , 5F140BD17 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BE15 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG32 , 5F140BG38 , 5F140BG53 , 5F140BH21 , 5F140BK12 , 5F140BK21

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-082614 Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (5)

半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-082614 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-023477 Applicant：株式会社半導体先端テクノロジーズ
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-261896 Applicant：株式会社日立製作所

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