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J-GLOBAL ID：200903081382253111

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 生田目 俊秀 ,  鳥海 明 ,  堀川 剛 ,  岩本 邦彦 ,  富永 浩二
Applicant, Patent owner： 株式会社ルネサステクノロジ ,  独立行政法人産業技術総合研究所 ,  ローム株式会社 ,  株式会社堀場製作所
Agent (1)： 筒井 大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004130834
Publication number (International publication number)：2005317583
Application date： Apr. 27, 2004
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：

【課題】 MISFETのゲート絶縁膜の欠陥密度を抑え、充分な電気特性を得ながら、かつ、ゲート絶縁膜の酸化シリコン換算膜厚(EOT)を1.0nm以下とする半導体装置を提供することである。【解決手段】 シリコン基板1の主面に形成されたゲート絶縁膜2と、ゲート絶縁膜2上に形成されたゲート電極3とを有し、ゲート絶縁膜2が、酸化金属層と酸化シリコン層とから形成された金属シリケート層を含み、その金属シリケート層が、前記シリコン基板1側から前記ゲート電極3側に向けて金属およびシリコンの濃度勾配を持って形成されることを特徴とするMISFETQn、Qpを形成する。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、前記シリコン基板の主面上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを有するMISFETを備えた半導体装置であって、 前記ゲート絶縁膜は、酸化シリコン層と酸化金属層とから形成された金属シリケート層を含み、 前記金属シリケート層を構成するシリコンおよび金属は、前記シリコン基板側から前記ゲート電極側に向けて濃度勾配を持っていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

FI (3)：

H01L29/78 301G ,  H01L21/316 X ,  H01L27/08 321D

F-Term (58)：

5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB11 ,  5F048BC06 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01 ,  5F140AA01 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD01 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE14 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG11 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG43 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CC03 ,  5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 高誘電率シリケート・ゲート誘電体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-242453   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 原子層吸着堆積法によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-191265   Applicant：株式会社高純度化学研究所

Cited by examiner (4)

• 誘電体膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-095818   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• 絶縁膜の形成方法およびゲート絶縁膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-261042   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-358063   Applicant：株式会社東芝
• 高誘電率シリケート・ゲート誘電体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-242453   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド