Pat

J-GLOBAL ID：200903063934651348

構造体

Inventor： 八百 隆文 ,  ▲チョ▼ 明煥
Applicant, Patent owner： 株式会社 東北テクノアーチ ,  古河機械金属株式会社 ,  三菱化学株式会社 ,  DOWAエレクトロニクス株式会社 ,  エピバレー株式会社
Agent (4)： 大塚 康徳 ,  高柳 司郎 ,  大塚 康弘 ,  木村 秀二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006272321
Publication number (International publication number)：2008088026
Application date： Oct. 03, 2006
Publication date： Apr. 17, 2008
Summary：

【課題】III族窒化物半導体の結晶層の転位密度を低減できる構造体を提供する。【解決手段】下地基板と、前記下地基板の上に形成され、三角錐形状の複数の微結晶部を有するクロム窒化物膜とを備え、前記クロム窒化物膜の三角錐形状の微結晶部は、1辺の長さが10nm以上300nm以下であり、(111)面を底面とし、{100}面群を他のファセット面とする構造体であって、前記クロム窒化物膜の各前記微結晶部を成長核に、前記{100}面群のそれぞれからIII族窒化物半導体が横方向成長して形成される。【選択図】図6

Claim (excerpt)：

下地基板と、 前記下地基板の上に形成され、三角錐形状の複数の微結晶部を有するクロム窒化物膜と、 を備えたことを特徴とする構造体。

IPC (2)：

C30B 29/38 ,  H01L 21/205

FI (2)：

C30B29/38 D ,  H01L21/205

F-Term (24)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TC13 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK11 ,  5F045AA04 ,  5F045AA20 ,  5F045AB14 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• III族窒化物半導体基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-358350   Applicant：日立電線株式会社

Cited by examiner (2)

• III族窒化物半導体基板およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-358350   Applicant：日立電線株式会社
• 発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-215342   Applicant：ソニー株式会社