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J-GLOBAL ID：200903002313787352

III族窒化物半導体基板およびその製造方法

Inventor：
柴田 真佐知

About 柴田 真佐知


Applicant, Patent owner：
日立電線株式会社

About 日立電線株式会社


Agent (1)： 高石 橘馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003358350
Publication number (International publication number)：2005119921
Application date： Oct. 17, 2003
Publication date： May. 12, 2005
Summary：
【課題】 低温成長バッファ層の形成を必要とせず、成長中の温度変更を必要としないIII族窒化物半導体基板の製造方法、下地基板上にヘテロ成長したIII族窒化物半導体結晶において、従来よりも下地基板との歪を緩和し、欠陥の少ないIII族窒化物半導体結晶、及びIII族窒化物半導体結晶をヘテロ成長させる際に、下地基板との歪を緩和し、自立基板の切出しが可能な厚膜の結晶成長を可能にするIII族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明のIII族窒化物半導体基板は、下地基板1上に無数の微細な貫通孔を設けた網目構造の金属膜又は金属窒化物膜2'を形成し、金属膜又は金属窒化物膜2'を介してIII族窒化物半導体結晶層3を成長させてなる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
下地基板上に金属膜を形成する工程、前記金属膜を形成した下地基板に加熱処理を施し、前記金属膜に前記金属膜表面から前記下地基板表面まで到達する無数の微細な貫通孔を形成する工程、及び前記加熱処理を施した下地基板上に前記金属膜を介してIII族窒化物半導体結晶を成長させる工程を含有することを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (3)：
C30B29/38 ,  C30B25/04 ,  H01L21/205
FI (3)：
C30B29/38 D ,  C30B25/04 ,  H01L21/205
F-Term (34)：
4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA06 ,  4G077ED06 ,  4G077EE01 ,  4G077EE07 ,  4G077HA12 ,  4G077TB04 ,  4G077TB05 ,  4G077TC06 ,  4G077TC12 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AE09 ,  5F045AE11 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045EE12 ,  5F045HA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (4)
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