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J-GLOBAL ID：200903070012446210

発光ダイオードおよびその製造方法ならびに集積型発光ダイオードおよびその製造方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法ならびに窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板ならびに光源セルユニットならびに発光ダイオードバックライトならびに発光ダイオード照明装置ならびに発光ダイオードディスプレイならびに電子機器ならびに電子装置およびその製造方法

Inventor： 大前 暁 ,  塩見 治典 ,  風田川 統之 ,  網 隆明 ,  宮嶋 孝夫 ,  平松 雄司 ,  畑田 出穂 ,  岡野 展賢 ,  冨谷 茂隆 ,  簗嶋 克典 ,  日野 智公 ,  成井 啓修
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 森 幸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006215342
Publication number (International publication number)：2007116097
Application date： Aug. 08, 2006
Publication date： May. 10, 2007
Summary：

【課題】発光効率が極めて高く、しかも一度のエピタキシャル成長により低コストで製造することができる発光ダイオードおよびその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板などの基板11の一主面にこの基板11と異なる材料、例えばSiO2 膜により凸部12を形成し、凸部12の間の凹部13に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て窒化物系III-V族化合物半導体層15を成長させた後、この窒化物系III-V族化合物半導体層15から横方向成長を行う。凸部12の断面形状は例えば三角形または台形とする。この窒化物系III-V族化合物半導体15上に、活性層を含む窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させて発光ダイオード構造を形成する。この発光ダイオードを用いて発光ダイオードバックライトなどを製造する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

一主面に複数の凸部を有する基板であって当該凸部は当該基板と異なる材料からなるものを用い、当該基板の凹部に、その底面を底辺とする三角形状の断面形状となる状態を経て第1の窒化物系III-V族化合物半導体層を成長させる工程と、 上記第1の窒化物系III-V族化合物半導体層から上記基板上に第2の窒化物系III-V族化合物半導体層を横方向成長させる工程と、 上記第2の窒化物系III-V族化合物半導体層上に第1の導電型の第3の窒化物系III-V族化合物半導体層、活性層および第2の導電型の第4の窒化物系III-V族化合物半導体層を順次成長させる工程と を有することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  C30B 29/38

FI (3)：

H01L33/00 C ,  H01L21/205 ,  C30B29/38 D

F-Term (32)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EE05 ,  4G077EE07 ,  4G077HA02 ,  4G077TB05 ,  4G077TC16 ,  4G077TC19 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB22 ,  5F041FF11 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DB02 ,  5F045HA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

• 半導体基材及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-193119   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体基材及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-199774   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-213490   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム成長用基板及び窒化ガリウム成長用基板の製造方法並びに窒化ガリウム基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-127727   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特許第2830814号明細書
  

Cited by examiner (4)

• 半導体結晶の製造方法及び半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-090884   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-153275   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体素子および半導体層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-128864   Applicant：三洋電機株式会社
• 窒化物系半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-145793   Applicant：三洋電機株式会社