半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：恩田博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995118646
Publication number (International publication number)：1996316496
Application date： May. 17, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：

【要約】【目的】保護キャップを有する半導体装置を容易に製造する。【構成】シリコンウェハ27の表面に可動ゲートMOSトランジスタが形成されている。シリコンウェハ27の表面においてトランジスタに対し空隙をもって覆うキャップを設けるためのキャップ形成用シリコンウェハ24を用意し、シリコンウェハ24におけるトランジスタの形成領域の周囲に対応する領域に、樹脂を主成分とする接着剤あるいは低融点ガラスよりなる接合材22を塗布する。このとき、スクリーン印刷法により所望の位置に塗布する。シリコンウェハ27とシリコンウェハ24とを接合材22にて接合する。ウェハ27を各チップ毎にダイシングする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面に機能素子が形成されるとともに、半導体基板の表面において機能素子に対し空隙をもって覆うキャップが設けられた半導体装置の製造方法であって、キャップ形成用ウェハにおける前記機能素子の形成領域の周囲に対応する領域に、樹脂を主成分とする接着剤または低融点ガラスよりなる接合材を塗布する第1工程と、機能素子形成用の半導体ウェハとキャップ形成用ウェハとを前記接合材にて接合する第2工程と、前記半導体ウェハを各チップ毎にダイシングする第3工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/84 , G01L 9/04 101

FI (2)：

H01L 29/84 B , G01L 9/04 101

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

特開昭64-051707
加速度センサおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-164123 Applicant：株式会社村田製作所
実装基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-121259 Applicant：松下電器産業株式会社

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Cited by examiner (9)

加速度センサおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-164123 Applicant：株式会社村田製作所
赤外線センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-069480 Applicant：株式会社村田製作所
半導体素子収納用パッケージ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-267295 Applicant：京セラ株式会社

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