チタン膜及びチタンナイトライド膜の連続成膜方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅井章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001207305
Publication number (International publication number)：2002075911
Application date： Oct. 01, 1996
Publication date： Mar. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】コンタクト抵抗が小さく、バイプロダクトによる汚染も防止することができるチタン膜及びチタンナイトライド膜の連続成膜方法を提供する。【解決手段】被処理体2の表面に、チタン膜10と、チタンナイトライド膜12を連続的に成膜する方法において、前記被処理体の表面にチタン膜を成膜するチタン成膜工程と、前記チタン膜の表面を還元ガスとアンモニアガスの雰囲気下でプラズマ処理することにより窒化させるチタン窒化工程と、表面が窒化された前記チタン膜上にチタンナイトライド膜を成膜するチタンナイトライド成膜工程とを備えるようにする。これにより、コンタクト抵抗の低減及びバイプロダクトによる汚染の低減を図る。

Claim (excerpt)：

被処理体の表面に、チタン膜と、チタンナイトライド膜を連続的に成膜する方法において、前記被処理体の表面にチタン膜を成膜するチタン成膜工程と、前記チタン膜の表面を還元ガスとアンモニアガスとを含む雰囲気下でプラズマ処理することにより窒化させるチタン窒化工程と、表面が窒化された前記チタン膜上にチタンナイトライド膜を成膜するチタンナイトライド成膜工程とを備えたことを特徴とするチタン膜及びチタンナイトライド膜の連続成膜方法。

IPC (5)：

H01L 21/285 301 , H01L 21/285 , C23C 16/14 , C23C 16/34 , H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/285 301 R , H01L 21/285 C , C23C 16/14 , C23C 16/34 , H01L 21/90 C

F-Term (33)：

4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA18 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030FA01 , 4K030LA15 , 4M104BB14 , 4M104CC01 , 4M104DD43 , 4M104DD46 , 4M104DD86 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH15 , 5F033JJ08 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033NN03 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP01 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP07 , 5F033QQ90 , 5F033QQ98 , 5F033XX09

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

バリア層の形成方法、およびこれにより形成されたバリア層を有する半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-050256 Applicant：ソニー株式会社
基板の処理装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-316524 Applicant：三洋電機株式会社
シリコン表面からの自然酸化物のインシチュウ清浄化法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-174145 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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Cited by examiner (1)

バリア層の形成方法、およびこれにより形成されたバリア層を有する半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-050256 Applicant：ソニー株式会社

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