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J-GLOBAL ID:200903064081199977

酸化亜鉛単結晶、それより得られるエピタキシャル成長用基板およびそれらの製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005043360
Publication number (International publication number):2006225213
Application date: Feb. 21, 2005
Publication date: Aug. 31, 2006
Summary:
【課題】酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成、すなわちストイキオメトリー組成であって電気比抵抗が極めて高い酸化亜鉛単結晶、この酸化亜鉛単結晶より得られるエピタキシャル成長用基板及びこれらの製造方法を提供する。【解決手段】酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成であり、電気比抵抗が1×109Ω・cm以上である酸化亜鉛単結晶、それより得られるエピタキシャル成長用基板およびそれらの製造方法を用いる。【選択図】なし
Claim (excerpt):
酸素と亜鉛とが実質的に化学量論的に等量の組成であり、電気比抵抗が1×109Ω・cm以上である酸化亜鉛単結晶。
IPC (3):
C30B 29/16 ,  C30B 7/10 ,  C30B 33/02
FI (3):
C30B29/16 ,  C30B7/10 ,  C30B33/02
F-Term (10):
4G077AA02 ,  4G077BB07 ,  4G077CB03 ,  4G077EC05 ,  4G077EJ09 ,  4G077FE03 ,  4G077HA12 ,  4G077KA06 ,  4G077KA09 ,  4G077KA15
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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