プラズマ処理装置及びプラズマ洗浄方法

Inventor： , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西川惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999198188
Publication number (International publication number)：2001023968
Application date： Jul. 12, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】プラズマ処理時の半導体素子に加わるチャージアップダメージを低減することができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】片側が吹き出し口12として開放された筒状誘電体の反応管7に、高圧電極9と接地電極10とを互いに対向するように反応管7の外側に配置する。希ガスにO2を加えた混合気体をプラズマ生成用ガス8として反応管7に導入する。高圧電極9と接地電極10の間に交流電界を印加することにより、大気圧下で反応管7内にグロー放電を発生させる。反応管7の吹き出し口12からジェット状のプラズマ13を吹き出して半導体素子14が搭載された被処理基板15に吹き付けるプラズマ処理装置に関する。プラズマ生成用ガス8のO2濃度を0.8〜2.0%に設定する。プラズマ13中の電子を酸素ガスが吸着して自ら負イオンとなり、プラズマ13中の電子密度を下げる作用をする。

Claim (excerpt)：

片側が吹き出し口として開放された筒状誘電体の反応管に、高圧電極と接地電極とを互いに対向するように反応管の外側に配置し、希ガスにO2を加えた混合気体をプラズマ生成用ガスとして反応管に導入し、高圧電極と接地電極の間に交流電界を印加することにより、大気圧下で反応管内にグロー放電を発生させ、反応管の吹き出し口からジェット状のプラズマを吹き出して半導体素子が搭載された被処理基板に吹き付けるプラズマ処理装置において、プラズマ生成用ガスのO2濃度を0.8〜2.0%に設定して成ることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , H01L 21/304 645 , H01L 21/304 , H05H 1/24

FI (4)：

H01L 21/302 F , H01L 21/304 645 C , H01L 21/304 645 A , H05H 1/24

F-Term (18)：

5F004AA06 , 5F004AA13 , 5F004AA14 , 5F004BA03 , 5F004BB11 , 5F004BB18 , 5F004BB28 , 5F004BD07 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA18 , 5F004DA22 , 5F004DA23 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004EB08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-124250 Applicant：セイコーエプソン株式会社
大気圧プラズマによる金属の表面処理法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-260566 Applicant：西脇醇, イーシー化学株式会社, 伊藤忠ファインケミカル株式会社
表面処理方法及び装置、圧電素子の製造方法、インクジェット用プリントヘッドの製造方法、液晶パネルの製造方法、並びにマイクロサンプリング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-317025 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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