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J-GLOBAL ID：200903064113451681

SOIウエーハの熱処理方法およびSOIウエーハ

Inventor： 阿賀 浩司 ,  小林 徳弘 ,  三谷 清
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997318896
Publication number (International publication number)：1999145020
Application date： Nov. 05, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 SOI層及び埋め込み酸化膜がエッチングされることなく、水素アニール法によって、SOIウエーハのSOI層のCOPを消滅させることができる熱処理方法を提供する。【解決手段】 SOIウエーハを還元性雰囲気中で熱処理する方法において、急速加熱・急速冷却装置を用いて1100〜1300°Cの温度範囲で、1〜60秒間熱処理をするSOIウエーハの熱処理方法であり、前記還元性雰囲気を100%水素雰囲気、或は水素とアルゴンの混合雰囲気とし、熱処理時間を好ましくは1〜30秒とする。

Claim (excerpt)：

SOIウエーハを還元性雰囲気中で熱処理する方法において、急速加熱・急速冷却装置を用いて1100〜1300°Cの温度範囲で、1〜60秒間熱処理をすることを特徴とするSOIウエーハの熱処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/324 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/324 X ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 21/316 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-211616   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭62-123098
  
• 貼り合わせ半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-316681   Applicant：富士通株式会社
• 半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-211045   Applicant：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• シリコンウェーハの熱処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-209280   Applicant：コマツ電子金属株式会社
• シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-080939   Applicant：三菱電機株式会社