SOIウエーハの熱処理方法およびSOIウエーハ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：好宮幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997318896
Publication number (International publication number)：1999145020
Application date： Nov. 05, 1997
Publication date： May. 28, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 SOI層及び埋め込み酸化膜がエッチングされることなく、水素アニール法によって、SOIウエーハのSOI層のCOPを消滅させることができる熱処理方法を提供する。【解決手段】 SOIウエーハを還元性雰囲気中で熱処理する方法において、急速加熱・急速冷却装置を用いて1100〜1300°Cの温度範囲で、1〜60秒間熱処理をするSOIウエーハの熱処理方法であり、前記還元性雰囲気を100%水素雰囲気、或は水素とアルゴンの混合雰囲気とし、熱処理時間を好ましくは1〜30秒とする。

Claim (excerpt)：

SOIウエーハを還元性雰囲気中で熱処理する方法において、急速加熱・急速冷却装置を用いて1100〜1300°Cの温度範囲で、1〜60秒間熱処理をすることを特徴とするSOIウエーハの熱処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/02 , H01L 21/324 , H01L 27/12 , H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/02 B , H01L 21/324 X , H01L 27/12 Z , H01L 21/316 P

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-211616 Applicant：株式会社東芝
シリコンウェーハの熱処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-209280 Applicant：コマツ電子金属株式会社
貼り合わせ半導体基板
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半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-211616 Applicant：株式会社東芝
特開昭62-123098
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