電子ビーム放射を用いてSOG膜を硬化させる方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：社本一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996534259
Publication number (International publication number)：1999505670
Application date： May. 08, 1996
Publication date： May. 21, 1999
Summary：

【要約】半導体ウエーハに形成されたSOGを硬化させる手段を提供する電子ビーム露光方法が記載され、この方法は、多層集積回路を製造するプロセスにおいて、導電金属層を絶縁すると共に、形態を平坦化する。本方法は、ソフトな真空環境の中で大面積で均一な電子ビーム露光装置を用いる。硬化されていないシロキサンSOGで被覆されたウエーハが、SOGの厚さ全体を貫通するに十分なエネルギを有する電子によって照射され、同時に、赤外線ヒータによって加熱される。ウエーハは、所定の照射量の電子に露呈され、同時に、ソフトな真空環境の中で最大温度まで上昇される。次に、電子ビーム及び赤外線ヒータを停止し、基板は、真空から取り出されるまで冷却される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上のSOG材料を硬化させるための方法であって、半導体基板の上に形成されたSOG層を真空チャンバの中に入れてそこに残す工程と、前記SOG層の表面全体を実質的に均一に露光すると共に前記層の厚さ全体にわたって貫通するに十分なエネルギを有する大面積電子ビームによって、SOG層を照射する工程と、同時に、前記SOG層を比較的低い温度に維持しながら、前記SOG層に熱を与える工程とを備え、これにより、クラック又は他の損傷を生ずることなく、前記SOG層を硬化させることを特徴とする方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 , H01L 21/31

FI (2)：

H01L 21/30 541 Z , H01L 21/31 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

シリカ系被膜形成用コーティング組成物および被膜付基材
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-150958 Applicant：触媒化成工業株式会社, 富士通株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-118584 Applicant：触媒化成工業株式会社
特開平4-263428

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