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J-GLOBAL ID：200903064181527408

反応性スパッタ方法および装置

Inventor：
ジェフ シー.セラーズ

About ジェフ シー.セラーズ


Applicant, Patent owner：
イーエヌアイ,ア ディビジョン オブ アステック アメリカ,インコーポレイティド

About イーエヌアイ,ア ディビジョン オブ アステック アメリカ,インコーポレイティド


Agent (1)： 石田 敬 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995150301
Publication number (International publication number)：1996041636
Application date： Jun. 16, 1995
Publication date： Feb. 13, 1996
Summary：
【要約】【目的】 反応性スパッタ法におけるアーク発生を防止する。【構成】 直流スパッタ時にターゲットに正電圧のパルスを印加して逆バイアスを生成させる。それによりターゲット上の絶縁堆積層を同じ逆バイアスレベルに帯電させ、その結果、負のスパッタ電圧をターゲットに印加したときに、絶縁堆積層が優先的にスパッタされて除去される。この逆バイアスパルスは低い動作周期すなわちパルス幅1〜3マイクロ秒、パルスレート約40〜100kHzで印加する。
Claim (excerpt)：
プラズマチャンバ内で、導電性ターゲットをスパッタしてターゲット材料を放出させ、該チャンバ内の反応性ガスと反応させ、生成した化合物を基材上に堆積させる反応性スパッタ方法であって、該ターゲットと該チャンバ内のアノードとの間に、該ターゲットから該ターゲット材料の原子を解放するのに十分なエネルギーで貴ガスイオンを該ターゲットに衝突させるレベルの直流電圧を印加する工程、および該反応性ガスを該チャンバ内に導入して該ターゲット材料の解放された原子と反応させる工程を含み、該直流電圧を印加する工程において、該アノードを基準として所定レベルの負の電圧を該ターゲットに印加し、且つ該アノードを基準として正の電圧のパルスを所定パルスレートおよび所定パルス幅で周期的に該ターゲットに印加することにより、該ターゲット上に堆積している該化合物の蓄積層を、該化合物の分子を該ターゲットから解放するのに十分なエネルギーを持つ該貴ガスイオンで叩く反応性スパッタ方法。
IPC (2)：
C23C 14/34 ,  C23C 14/38
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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