Pat
J-GLOBAL ID:200903064238953778

向上した平面度、等方性および熱寸法安定性を有するポリイミド基板、並びにそれらに関する組成物および方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 谷 義一 ,  阿部 和夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003411064
Publication number (International publication number):2004211071
Application date: Dec. 09, 2003
Publication date: Jul. 29, 2004
Summary:
【課題】 均衡の取れた分子配向、良好な熱寸法安定性および平面度を有するポリイミド基板を提供すること。【解決手段】 (a)所望のモル比で1つ又は複数の段階で、非剛直性モノマー及び任意選択的に剛直性モノマーを一緒に接触させて、1つ又は複数の段階でアミック酸溶液を作り出す工程と、(b)該アミック酸溶液を支持体に適用してフィルムをもたらす工程と、(c)縦方向にフィルムを拘束し、所定倍率でフィルムを引っ張る工程と、(d)(c)とは別又は付随して横方向にフィルムを拘束し、所定倍率でフィルムを引っ張る工程と、(e)その後、所定温度でフィルムを加熱して90質量%より大きい固形分まで組成物を乾燥させ、次に縦及び横方向において過度の拘束なしに、所定温度でフィルムを加熱して、98質量%より大きい固形分及び90%より大きいイミド化レベルに該組成物を硬化させる工程とを含むポリイミドフィルムの製造方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
ベースポリマーを含有する少なくとも1つのベース層を含むポリイミド基板であって、 該ベースポリマーは、1つまたは複数の芳香族ジアミンおよび1つまたは複数の芳香族二無水物を含む多数の反応によって合成されるポリイミドであり、該多数の反応は、重合反応及びイミド化反応を含み、該重合反応の少なくとも一部は、高張力のフィルム加工環境で行われ、かつ、イミド化反応の少なくとも一部は、低張力のフィルム加工環境で行われ、該低張力のフィルム加工環境は、該高張力のフィルム加工環境後に生じ、該フィルム加工環境は、 A.350、400、450、500、550、600、650、675、700、725、750、775、800、825、または850kpsiを超える(20°Cでの)引張弾性率、 B.20,000、18,000、16,000、15,000、14,000、13,000、12,000、11,000、10,000、9,000、8,000、7,000、6,000、5,000、4,000、3,000、2,500、2,000、1,500、1,000、750または500ppm未満の垂下、 C.10,000、9,000、8,000、7,000、6,000、5,000、4,000、3,000、2,500、2,000、1,500、1,000、750、600、500、400、300、または200ppm未満のゆがみ、 D.50°Cから300°Cの温度範囲において、500、250、100、75、50、25、10、5または1(ppm/°C)未満の平均線熱膨張係数、 E.次の数:0.2、0.4、0.6、0.8、1.0、1.5、2.0、2.5、3.0、3.2、3.4、3.5、3.6、3.8および4.0の内のいずれか2つの間(および両端を含む)の線膨張係数比(MD/TD)、並びに、 F.1、0.75、0.50、0.30、0.25、0.20、0.10、または0.05未満の熱寸法安定性であって、少なくとも1時間400°Cにさらした後の(最初に20°Cでの)フィルム長の変化率として、本明細書で定義されている熱寸法安定性、 を有するポリイミド基板を可能にするのに充分な方法で行われることを特徴とするポリイミド基板。
IPC (4):
C08G73/10 ,  B32B15/08 ,  C08J5/18 ,  H05K1/03
FI (5):
C08G73/10 ,  B32B15/08 R ,  C08J5/18 ,  H05K1/03 610N ,  H05K1/03 650
F-Term (45):
4F071AA60 ,  4F071AF20Y ,  4F071AF43Y ,  4F071AF61Y ,  4F071AF62Y ,  4F071AH12 ,  4F071AH13 ,  4F071BA02 ,  4F071BA09 ,  4F071BB02 ,  4F071BB07 ,  4F071BC01 ,  4F100AB01A ,  4F100AK25C ,  4F100AK33C ,  4F100AK36C ,  4F100AK49B ,  4F100AK49C ,  4F100AK49K ,  4F100AK51C ,  4F100AK53C ,  4F100BA02 ,  4F100BA03 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100CA02B ,  4F100CB00C ,  4F100EH66A ,  4F100EJ55B ,  4F100GB43 ,  4F100JL04B ,  4J043PA04 ,  4J043QB26 ,  4J043QB31 ,  4J043RA34 ,  4J043UA111 ,  4J043UA112 ,  4J043XB33 ,  4J043YA28 ,  4J043YA29 ,  4J043ZA32 ,  4J043ZA33 ,  4J043ZA35 ,  4J043ZB11 ,  4J043ZB50
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
  • 米国特許第4,725,484号明細書
  • 米国特許第4,742,099号明細書
  • 米国特許第5,272,149号明細書
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Cited by examiner (6)
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