Pat
J-GLOBAL ID:200903064261216063
電界放射型電子源の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996078538
Publication number (International publication number):1997270228
Application date: Apr. 01, 1996
Publication date: Oct. 14, 1997
Summary:
【要約】【課題】 大電流密度の可能な電界放出型電子源を提供する。【解決手段】 基板1の表面に形成された電極2の表面に導電性の凸状微小構造3が形成され、その周辺部にゲートとなる電極層6が絶縁層5を介して形成されている。また凸状の微構造の表面には冷陰極となる複数の突出部4が形成されている。陰極に対してとゲート電極に正の電圧を印加することにより、複数の突出部の先端から電界効果により多量の電子が放出される。
Claim (excerpt):
表面に急峻な先端を有する複数の突出部が形成された凸状の導電性微小構造と、前記凸状の微小構造を囲み電気的に絶縁されてた電極が基板上に形成され、微小構造と電極の間に電圧を印加することにより、前記複数の突出部の先端部から電子が放出されることを特徴とする電界放射型電子源。
IPC (2):
FI (2):
H01J 1/30 B
, H01J 9/02 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
-
特開昭51-052274
-
電子放出素子及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-015628
Applicant:株式会社リコー
-
冷陰極電極構造とその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-010699
Applicant:三菱電機株式会社
-
電子放出素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-131488
Applicant:株式会社東芝
-
電子放出素子およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-292426
Applicant:工業技術院長, 凸版印刷株式会社
-
セルフアラインゲート構造および集束リングの形成法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-075117
Applicant:マイクロン・テクノロジー・インコーポレイテッド
Show all
Return to Previous Page