相変化材料素子および半導体メモリ

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：植本雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002098460
Publication number (International publication number)：2003298013
Application date： Apr. 01, 2002
Publication date： Oct. 17, 2003
Summary：

【要約】【課題】微細化に対応することが可能であって、微細化の要求される半導体メモリなどの半導体デバイスに用いることが可能な相変化材料素子および半導体メモリを提供する。【解決手段】本発明の相変化材料素子は、パルス状の電流を印加することでアモルファス状態の相となって高抵抗化される一方、パルス状の電流に続いて徐々に電流値を下げた電流を印加することで結晶状態の相となって低抵抗化されるようになっている。

Claim (excerpt)：

アモルファス状態の相と結晶状態の相との間の相変化により抵抗率が変化する相変化材料素子であって、その比抵抗は高くても100Ω・cmであることを特徴とする相変化材料素子。

IPC (2)：

H01L 27/10 451 , H01L 45/00

FI (2)：

H01L 27/10 451 , H01L 45/00 A

F-Term (10)：

5F083AD69 , 5F083FZ10 , 5F083GA09 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA20 , 5F083PR39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電気的消去可能型相転移メモリ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-006940 Applicant：エナージー・コンバーシヨン・デバイセス・インコーポレーテツド
相変化型不揮発性記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-296101 Applicant：株式会社東芝
特開昭56-100464

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