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J-GLOBAL ID：200903064347625845

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
神山 聡

About 神山 聡


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

About 株式会社半導体先端テクノロジーズ


Agent (2)： 高田 守 ,  高橋 英樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003185833
Publication number (International publication number)：2005019891
Application date： Jun. 27, 2003
Publication date： Jan. 20, 2005
Summary：
【課題】高誘電率絶縁膜をゲート絶縁膜に用いた半導体装置の性能を向上させる。【解決手段】高誘電率絶縁膜からなる第一の絶縁膜6aの上に、窒素を含む第二の絶縁膜7aを形成する。第二の絶縁膜7aは原子化学気相成長法または窒化ガスを用いたプラズマ処理により形成し、第二の絶縁膜の膜厚は、第一の絶縁膜の膜厚の1/20〜2/3の範囲になるように形成し、第二の絶縁膜に含まれる窒素のピーク濃度は、5atomic%以上となるようにする。また、第一の絶縁膜6aおよび第二の絶縁膜7aの緻密化処理温度をトランジスタの活性化の熱処理温度よりも高くする。以上のように形成することにより、不純物の拡散を抑え、かつ、ゲート絶縁膜とゲート電極の相互反応を抑える。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
シリコン基板と、 前記シリコン基板の主面上に形成したシリコン酸化膜と、 前記シリコン酸化膜の上に形成した第一の絶縁膜と、 前記第一の絶縁膜の上に形成した第二の絶縁膜と、 前記第二の絶縁膜の上に形成したゲート電極とを備えた半導体装置であって、前記第一の絶縁膜は、金属及び酸素からなる金属酸化膜、金属、酸素及びシリコンからなる金属シリケート膜、またはアルミニウム以外の金属、酸素及びアルミニウムからなる金属アルミネート膜からなる高誘電率絶縁膜であり、 前記第二の絶縁膜は、金属、酸素、シリコン及び窒素を有する絶縁膜、または、アルミニウム以外の金属、酸素、アルミニウム及び窒素を有する絶縁膜からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (8)：
H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49
FI (6)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301A ,  H01L21/283 C ,  H01L21/316 M ,  H01L29/58 G ,  H01L27/08 321D
F-Term (83)：
4K030BA02 ,  4K030BA10 ,  4K030BA35 ,  4K030BA42 ,  4K030BA44 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030JA01 ,  4K030LA02 ,  4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB11 ,  5F048BC06 ,  5F048BE03 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA04 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F058BA01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD12 ,  5F058BD15 ,  5F058BF02 ,  5F058BF20 ,  5F058BF22 ,  5F058BF30 ,  5F058BF74 ,  5F140AA06 ,  5F140AA28 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BC06 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD16 ,  5F140BD17 ,  5F140BE02 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BE19 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG32 ,  5F140BG37 ,  5F140BG43 ,  5F140BG44 ,  5F140BG53 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CF07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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