半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：作田康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001373531
Publication number (International publication number)：2003174163
Application date： Dec. 07, 2001
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】信頼性の高い半導体装置を提供することにある。また、本発明の第二の目的は、歩留りの高い半導体装置を提供することにある。【解決手段】シリコン基板と、前記シリコン基板の一主面側に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接触して形成されたゲート電極膜と、コバルトシリサイドまたはニッケルシリサイドを主構成材料とする配線膜とを備え、前記ゲート絶縁膜の主構成材料が酸化ジルコニウムまたは酸化ハフニウムである半導体装置において、前記一主面を前記シリコンの(111)結晶面と平行にする。

Claim (excerpt)：

シリコン基板と、前記シリコン基板の一主面側に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極膜と、コバルトシリサイドまたはニッケルシリサイドを主構成材料とする配線膜とを備え、前記一主面が基板の(111)結晶面になるよう形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 29/78 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205 , H01L 21/768 , H01L 21/8234 , H01L 21/8242 , H01L 27/088 , H01L 27/108

FI (10)：

H01L 21/28 301 S , H01L 29/78 301 G , H01L 21/88 Q , H01L 21/88 R , H01L 21/90 C , H01L 27/08 102 D , H01L 27/10 621 C , H01L 27/10 671 Z , H01L 27/10 651 , H01L 29/78 301 Q

F-Term (122)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB21 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD04 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD19 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD78 , 4M104EE14 , 4M104EE17 , 4M104FF14 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG16 , 4M104GG19 , 4M104HH04 , 4M104HH10 , 4M104HH14 , 5F033HH04 , 5F033HH19 , 5F033HH25 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ19 , 5F033JJ25 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033MM07 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR09 , 5F033RR15 , 5F033SS08 , 5F033SS11 , 5F033TT08 , 5F033VV16 , 5F033WW04 , 5F033XX03 , 5F033XX20 , 5F033XX28 , 5F048AB01 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG01 , 5F048BG13 , 5F048DA25 , 5F083AD01 , 5F083AD24 , 5F083AD48 , 5F083HA08 , 5F083JA02 , 5F083JA06 , 5F083JA12 , 5F083JA35 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083NA08 , 5F083PR33 , 5F140AA01 , 5F140AA39 , 5F140AB01 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BD17 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF17 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BH21 , 5F140BJ08 , 5F140BJ11 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140BK25 , 5F140CB01 , 5F140CC02 , 5F140CC03 , 5F140CC07 , 5F140CC08 , 5F140CC11 , 5F140CC12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

コバルトシリサイドの薄い層が形成されるデバイスの作製プロセス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-085442 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレーテッド
MIS半導体デバイスおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-099949 Applicant：ティーディーケイ株式会社

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