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J-GLOBAL ID：200903064359129037

発光素子

Inventor： 一ノ瀬 昇 ,  島村 清史 ,  青木 和夫 ,  ガルシア ビジョラ エンカルナシオン アントニア
Applicant, Patent owner： 株式会社光波
Agent (1)： 平田 忠雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004210864
Publication number (International publication number)：2006032739
Application date： Jul. 16, 2004
Publication date： Feb. 02, 2006
Summary：

【課題】 結晶品質の高いGaN系化合物薄膜を得ることにより発光効率を高めた発光素子を提供する。【解決手段】 この発光素子10は、β-Ga2O3単結晶からなるn型導電性を示すGa2O3基板11の上にGaNからなるGaNバッファ層12を形成し、このGaNバッファ層12の上にGaN系化合物薄膜を成長させる。Ga2O3基板11の下面は、Ga2O3基板11に接してn電極18が設けられ、最下層には、Ga2O3基板11およびn電極18を通過した発光光を発光層14側に反射する反射層19が設けられている。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

n型導電性を示すGa2O3系化合物半導体からなる基板と、 前記基板の上に形成されたn型導電性を示すバッファ層と、 前記バッファ層の上に形成されたGaN系化合物からなるGaN系化合物薄膜とを有することを特徴とする発光素子。

IPC (1)：

H01L 33/00

FI (1)：

H01L33/00 C

F-Term (10)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CB15 ,  5F041DA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 特公昭52-36117号公報
  

Cited by examiner (3)

• 発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-137912   Applicant：株式会社光波
• 窒化物系半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-363655   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-027522   Applicant：松下電器産業株式会社