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J-GLOBAL ID：200903067458920411

窒化物系半導体素子およびその製造方法

Inventor： 畑 雅幸 ,  野村 康彦 ,  狩野 隆司
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 宮園 博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001363655
Publication number (International publication number)：2003163375
Application date： Nov. 29, 2001
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】ホウ素化合物基板の裏面による水分の吸着に起因する電極の劣化や剥がれを防止することが可能な窒化物系半導体素子を提供する。【解決手段】この窒化物系半導体素子は、ZrB2基板1の表面上に形成された窒化物系半導体層(バッファ層2、n型クラッド層3、発光層4、p型クラッド層5およびp型コンタクト層6)と、ZrB2基板1の裏面上に形成されたタングステンからなる保護膜9とを備えている。

Claim (excerpt)：

ホウ素化合物基板の表面上に形成された窒化物系半導体層と、前記ホウ素化合物基板の裏面上に形成された保護膜とを備えた、窒化物系半導体素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

F-Term (16)：

5F041AA34 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB14 ,  5F073DA04 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 半導体装置の裏面電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-196494   Applicant：トヨタ自動車株式会社
• 窒化物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-218214   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法、半導体装置の製造方法、窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板および窒化物系III-V族化合物半導体成長用基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-043456   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体結晶性膜の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-121301   Applicant：日本電気株式会社
• 特開昭59-220937
  
• 半導体層形成用基板とそれを利用した半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-228903   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構, 京セラ株式会社, 大谷茂樹, 須田淳
• 特開平3-284886
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-176033   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭63-314875
  

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• "金属ZrB2基板上への高品質GaNのMOVPE成長"
• "導電性ZrB2(0001)基板上へのGaNおよびAlNのMBE成長"