素子の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001119884
Publication number (International publication number)：2002314123
Application date： Apr. 18, 2001
Publication date： Oct. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】基板上の微小な素子を確実に、且つ精度良く転写する。【解決手段】第1の基板上に配列され絶縁性物質に埋め込まれた素子を第2の基板上に選択的に転写する。このとき、第1の基板の裏面側からレーザ光を照射し、素子及び絶縁物質をレーザアブレーションにより同時に剥離する。補強のため、第2の基板上に転写された素子及び絶縁性物質を覆って樹脂層を形成する。また、転写後の基板表面を酸素アッシングして残渣を除去し、基板を再利用する。

Claim (excerpt)：

第1の基板上に配列され絶縁性物質に埋め込まれた素子を第2の基板上に選択的に転写する素子の転写方法において、第1の基板の裏面側からレーザ光を照射し、上記素子及び絶縁物質をレーザアブレーションによりともに剥離することを特徴とする素子の転写方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 , G09F 9/00 338 , G09F 9/33

FI (3)：

H01L 33/00 A , G09F 9/00 338 , G09F 9/33 Z

F-Term (16)：

5C094AA43 , 5C094BA24 , 5C094CA19 , 5C094DA11 , 5F041AA37 , 5F041CA40 , 5F041CA77 , 5F041DA82 , 5F041DB08 , 5F041DC08 , 5F041FF06 , 5G435AA17 , 5G435BB04 , 5G435CC09 , 5G435EE33 , 5G435KK05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

光入出力素子アレイ装置の製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-116325 Applicant：シャープ株式会社
薄膜デバイス装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板および電気光学装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-224332 Applicant：セイコーエプソン株式会社
アクティブマトリクス基板及びその製造方法、素子形成基板、中間転写基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-179214 Applicant：株式会社東芝

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