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J-GLOBAL ID:200903097893286313

光入出力素子アレイ装置の製造法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小池 隆彌
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998116325
Publication number (International publication number):1999307878
Application date: Apr. 27, 1998
Publication date: Nov. 05, 1999
Summary:
【要約】【課題】 光入出力素子アレイ装置のコストを概略1/mn倍に低減する。また、光入出力素子アレイ装置に高密度に光素子を配列する。【解決手段】 第1の基板上に、光入出力素子アレイ装置の素子配列の間隔よりも小さな配列間隔で光素子を形成し、前記第1の基板上の光素子のうち、光入出力素子アレイ装置の素子配列の配列間隔に対応した光素子を光入出力素子アレイ装置基板に選択的に転写配列することにより、光入出力素子アレイ装置を製造する。ここで、前記第1の基板上に形成する光素子配列間隔dr、dsを、光入出力素子アレイ装置の素子配列の横、縦の配列間隔dx、dyを2以上の自然数m、nで除したdx/m、dy/nの間隔とする。
Claim (excerpt):
第1の基板上に、光入出力素子アレイ装置の素子配列の間隔よりも小さな配列間隔で光素子を形成するプロセスと、前記第1の基板上の光素子のうち、光入出力素子アレイ装置の素子配列の配列間隔に対応した光素子を、光入出力素子アレイ装置基板に選択的に転写配列するプロセスと、を有することを特徴とする光入出力素子アレイ装置の製造法。
IPC (4):
H01S 3/18 ,  H01L 21/02 ,  H01L 31/0232 ,  H01L 33/00
FI (4):
H01S 3/18 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 33/00 M ,  H01L 31/02 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (17)
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