半導体ヨーレートセンサ及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994296782
Publication number (International publication number)：1996152327
Application date： Nov. 30, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】トランジスタ型であっても検出精度の低下、加速度の誤検出を解決し、小型で高性能な半導体ヨーレートセンサを提供する。【構成】半導体基板1の上方に可動電極51〜54を一体形成し且つゲート電極として機能する重り4を梁31〜34、アンカー部21〜24によって変位自在に支持する。基板1の重り4に対向する位置にソース電極71,72及びドレイン電極81,82を形成し、重り4によるゲート電極と共にそれぞれトランジスタを構成する。ソース、ドレイン電極形成領域を除き、基板1の重り4と対向した部分には下部電極9を形成する。基板11上で可動電極51〜54とギャップを介して励振用固定電極61〜64を配置し、これらの固定電極61〜64により所定の周期で重り4を基板1と水平方向に励振させ、ヨーレートの作用に伴う重り4の変位を各ソース・ドレイン間の電流変化で差動検出する。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置され、梁構造体によって変位自在に支持され、前記半導体基板と平行に突出するように励振用可動電極を一体形成してなり、トランジスタのゲート電極として機能する重りと、前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔て且つ前記可動電極とギャップを介して配置され、前記重りを静電気力を利用して振動させる励振用固定電極と、前記半導体基板の前記重りの周辺の一部対向する位置に形成される2組以上のソース電極及びドレイン電極と、前記半導体基板の前記重りと対向した部分の少なくとも前記ソース電極及びドレイン電極のない領域に形成される下部電極とを具備し、前記重りによるゲート電極と前記ソース電極及びドレイン電極によりトランジスタを構成し、前記励振用固定電極により所定の周期をもって前記重りを前記半導体基板と水平方向に励振する際に、ヨーレートの作用に伴う前記重りの変位を前記2組以上のソース・ドレイン間の電流変化で差動検出するようにしたことを特徴とする半導体ヨーレートセンサ。

IPC (3)：

G01C 19/56 , G01P 9/04 , H01L 29/84

Patent cited by the Patent：

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半導体加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-347244 Applicant：日本電装株式会社
半導体加速度センサ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-347250 Applicant：日本電装株式会社
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-230520 Applicant：日本電装株式会社

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