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J-GLOBAL ID：200903064498835051

ドライエッチング方法及び装置

Inventor：
三橋 章男

About 三橋 章男

, 
木村 忠司

About 木村 忠司

, 
奥村 智洋

About 奥村 智洋


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 石原 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998188420
Publication number (International publication number)：2000021858
Application date： Jul. 03, 1998
Publication date： Jan. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 エッチングチャンバ構成部材からプラズマ中に放出される酸素の量を低減してレジストのエッチング量を抑え、パターン側壁保護膜の薄膜化を図り、より高精度なエッチング性能を実現する。【解決手段】 電磁界導入窓2や、プラズマと接触するエッチングチャンバ1壁面の一部または全部の構成部材や、エッチングチャンバ1内の構成部材を、酸素の組成比が50%以下の材質、特にSi窒化膜、またはSi、またはSi炭化物、または炭素、またはAl窒化物、またはポリイミド、またはポリアミドとしたものである。
Claim (excerpt)：
プラズマと接触する部材の一部または全部が酸素の組成比が50%以下の材質からなるエッチングチャンバ内を排気系で減圧するとともに反応ガスを導入し、プラズマ発生手段を動作させ、電磁界導入窓を介して電磁界を導入して反応ガスをプラズマ化し、エッチングチャンバ内に配置されている基板の被エッチング膜を除去することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00
FI (2)：
H01L 21/302 B ,  C23F 4/00 A
F-Term (17)：
4K057DA11 ,  4K057DB05 ,  4K057DB06 ,  4K057DB08 ,  4K057DB12 ,  4K057DD01 ,  4K057DM29 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA05 ,  5F004BA16 ,  5F004BA20 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004DB09 ,  5F004DB15 ,  5F004DB17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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