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J-GLOBAL ID:200903064532933475

半導体装置およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 芝野 正雅
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998364236
Publication number (International publication number):2000188305
Application date: Dec. 22, 1998
Publication date: Jul. 04, 2000
Summary:
【要約】【課題】チップサイズパッケージの信頼性を向上させる。【解決手段】 Cuより成る配線層7、メタルポスト8とポリイミド樹脂層Rとの界面にSi3N4膜SNを形成し、熱硬化前のイミド樹脂とCuの反応を防止する。
Claim (excerpt):
金属材料から成る金属電極パッドに接続され、チップ表面に延在するCuを主材料とする配線層と、この配線層を含むチップ表面を被覆する熱硬化型の樹脂から成る絶縁層と、前記配線層上の前記絶縁層に形成された開口部と、この開口部に形成されたメタルポストと、このメタルポストに固着された半田ボール(または半田バンプ)とを具備する半導体装置に於いて、前記半田ボール(または半田バンプ)が固着される前記メタルポストの領域を除いて、前記絶縁層と前記配線層の界面および前記絶縁層と前記メタルポストの界面にはSi3N4膜が設けられる事を特徴とする半導体装置。
FI (3):
H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/92 603 D ,  H01L 21/92 604 N
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (6)
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