発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001300021
Publication number (International publication number)：2003109773
Application date： Sep. 28, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】水分や酸素の透過による劣化を抑えることが可能な半導体装置、例えば、プラスチック基板上に形成されたOLEDを有する発光装置、プラスチック基板を用いた液晶表示装置の提供を課題とする。【解決手段】本発明は、基板上に素子を含む被剥離層を形成した後、支持体に被剥離層を接着して基板から引き剥がして被剥離層を剥離した後、被剥離層に接する薄膜を成膜した後、転写体22と貼り合わせる。こうすることによって、剥離の際に生じるクラックを修復し、被剥離層に接する薄膜として熱伝導性を有する膜20、具体的にはアルミニウムの窒化物またはアルミニウムの窒化酸化物を用いることによって、素子の発熱を拡散させ、転写体22、具体的にはプラスチック基板の変形や変質を保護する効果を有する。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に、陰極と、該陰極上に接する有機化合物層と、該有機化合物層上に接する陽極とを有する発光素子と、前記陽極に接する絶縁膜と、該絶縁膜に接する熱伝導性を有する膜とを有することを特徴とする発光装置。

IPC (11)：

H05B 33/22 , G09F 9/30 310 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 349 , G09F 9/30 365 , G09F 9/35 , H01L 21/02 , H01L 21/336 , H01L 27/12 , H01L 29/786 , H05B 33/14

FI (12)：

H05B 33/22 Z , G09F 9/30 310 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 349 Z , G09F 9/30 365 Z , G09F 9/35 , H01L 21/02 B , H01L 27/12 B , H05B 33/14 A , H01L 29/78 627 D , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 626 C

F-Term (92)：

3K007AB12 , 3K007AB13 , 3K007AB14 , 3K007AB18 , 3K007CA01 , 3K007CA05 , 3K007EB00 , 3K007FA01 , 5C094AA31 , 5C094AA38 , 5C094AA42 , 5C094BA03 , 5C094BA29 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094DA13 , 5C094DA14 , 5C094DA15 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5F110AA14 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110BB05 , 5F110CC02 , 5F110CC08 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110DD30 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110FF04 , 5F110FF12 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11 , 5F110QQ16 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

薄膜状半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-285988 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜集積回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-195962 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜トランジスタおよび薄膜集積素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-243465 Applicant：日本電気株式会社

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