電気光学装置及びその作製方法並びに電子装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000166777
Publication number (International publication number)：2001052873
Application date： Jun. 02, 2000
Publication date： Feb. 23, 2001
Summary：

【要約】【課題】動作性能および信頼性の高いEL表示装置を提供する。【解決手段】画素電極(陽極)46、EL層47及び陰極48でなるEL素子203の下には第3パッシベーション膜45が設けられ、EL素子203で発生した熱を逃がす構造となっている。また、この第3パッシベーション膜45はEL素子203中のアルカリ金属がTFT側へ拡散するのを防ぎ、さらにTFT側から水分や酸素がEL素子203中へ侵入するのを防ぐ。さらに好ましくは、第4パッシベーション膜50にも放熱効果を持たせてEL素子203を放熱層で囲んだ状態とする。

Claim (excerpt)：

EL素子が、B(ホウ素)、C(炭素)、N(窒素)から選ばれた少なくとも一つの元素と、Al(アルミニウム)、Si(珪素)、P(リン)から選ばれた少なくとも一つの元素とを含む絶縁膜に接していることを特徴とする電気光学装置。

IPC (6)：

H05B 33/22 , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , H01L 29/786 , H05B 33/14 , H05B 33/26

FI (7)：

H05B 33/22 Z , G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , H05B 33/14 A , H05B 33/26 Z , H01L 29/78 619 A , H01L 29/78 626 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

アクティブマトリクス型表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-234921 Applicant：セイコーエプソン株式会社
表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-092935 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体表示装置補正システムおよび半導体表示装置の補正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-156696 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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