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J-GLOBAL ID:200903064637345161

光電変換素子実装用セラミックス基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 西川 惠清 ,  森 厚夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003425042
Publication number (International publication number):2005179147
Application date: Dec. 22, 2003
Publication date: Jul. 07, 2005
Summary:
【課題】導体配線との間の充分な密着強度を確保しつつ、光電変換素子から発せられる光を高効率に反射して発光効率を向上することができる光電変換素子実装用セラミックス基板を提供する。【解決手段】光電変換素子実装用セラミックス基板1は、アルミナ、シリカ及びマグネシアを含有し、且つシリカ含有量が0.1〜1質量%、マグネシア含有量が0.01〜0.5質量%である高反射率相2を有する。この高反射率相2は高い光反射率を有すると共に、表面に金属膜を形成した場合にこの金属膜との間に高いピール強度を有する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
アルミナ、シリカ及びマグネシアを含有し、且つシリカ含有量が0.1〜1質量%、マグネシア含有量が0.01〜0.5質量%である高反射率相を有することを特徴とする光電変換素子実装用セラミックス基板。
IPC (3):
C04B35/111 ,  C04B41/91 ,  H01L33/00
FI (3):
C04B35/10 D ,  C04B41/91 B ,  H01L33/00 N
F-Term (19):
4G030AA07 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA12 ,  4G030CA04 ,  4G030CA07 ,  4G030GA09 ,  4G030GA11 ,  4G030GA21 ,  4G030GA32 ,  5F041AA03 ,  5F041AA21 ,  5F041AA33 ,  5F041CA12 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041DA39
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (6)
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