イオン注入方法およびその装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本恵二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004046213
Publication number (International publication number)：2005235682
Application date： Feb. 23, 2004
Publication date： Sep. 02, 2005
Summary：

【課題】基板の面内に様々なドーズ量分布を形成することができるイオン注入方法等を提供する。【解決手段】このイオン注入方法は、イオンビーム4を電界または磁界によってX方向に往復走査することと、基板2をX方向と直交するY方向に機械的に往復駆動することとを併用して、基板2の全面にイオン注入を行うものである。そして、イオンビーム4の走査速度および基板2の駆動速度の少なくとも一方を、イオンビーム4が基板2に入射する領域内で変化させることによって、基板2の面内において一様でないドーズ量分布を形成する。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

イオンビームを電界または磁界によってX方向に往復走査することと、基板を前記X方向と実質的に直交するY方向に機械的に往復駆動することとを併用して、基板にイオン注入を行うイオン注入方法において、イオンビームの走査速度および基板の駆動速度の少なくとも一方を、イオンビームが基板に入射する領域内で変化させることによって、基板の面内において一様でないドーズ量分布を形成することを特徴とするイオン注入方法。

IPC (3)：

H01J37/317 , C23C14/48 , H01L21/265

FI (3)：

H01J37/317 C , C23C14/48 Z , H01L21/265 603D

F-Term (10)：

4K029AA04 , 4K029AA24 , 4K029BD01 , 4K029DE06 , 4K029JA08 , 5C034CC11 , 5C034CD01 , 5C034CD04 , 5C034CD05 , 5C034CD07

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

イオン注入方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-328662 Applicant：日新電機株式会社

Cited by examiner (5)

イオン注入方法およびイオン注入装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-274770 Applicant：ソニー株式会社
静電走査型コンビナトリアルイオン注入方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-141548 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
イオン注入方法およびその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-328662 Applicant：日新電機株式会社

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