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J-GLOBAL ID:200903064708688480
イオン注入方法およびその装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
山本 恵二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004046213
Publication number (International publication number):2005235682
Application date: Feb. 23, 2004
Publication date: Sep. 02, 2005
Summary:
【課題】 基板の面内に様々なドーズ量分布を形成することができるイオン注入方法等を提供する。【解決手段】 このイオン注入方法は、イオンビーム4を電界または磁界によってX方向に往復走査することと、基板2をX方向と直交するY方向に機械的に往復駆動することとを併用して、基板2の全面にイオン注入を行うものである。そして、イオンビーム4の走査速度および基板2の駆動速度の少なくとも一方を、イオンビーム4が基板2に入射する領域内で変化させることによって、基板2の面内において一様でないドーズ量分布を形成する。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
イオンビームを電界または磁界によってX方向に往復走査することと、基板を前記X方向と実質的に直交するY方向に機械的に往復駆動することとを併用して、基板にイオン注入を行うイオン注入方法において、
イオンビームの走査速度および基板の駆動速度の少なくとも一方を、イオンビームが基板に入射する領域内で変化させることによって、基板の面内において一様でないドーズ量分布を形成することを特徴とするイオン注入方法。
IPC (3):
H01J37/317
, C23C14/48
, H01L21/265
FI (3):
H01J37/317 C
, C23C14/48 Z
, H01L21/265 603D
F-Term (10):
4K029AA04
, 4K029AA24
, 4K029BD01
, 4K029DE06
, 4K029JA08
, 5C034CC11
, 5C034CD01
, 5C034CD04
, 5C034CD05
, 5C034CD07
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
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イオン注入方法およびその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-328662
Applicant:日新電機株式会社
Cited by examiner (5)
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イオン注入方法およびイオン注入装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-274770
Applicant:ソニー株式会社
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静電走査型コンビナトリアルイオン注入方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-141548
Applicant:独立行政法人物質・材料研究機構, エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社
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イオン注入方法およびその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-328662
Applicant:日新電機株式会社
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半導体装置のイオン注入方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-052647
Applicant:日本電気株式会社
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特開平3-269939
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