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J-GLOBAL ID:200903064742504526

両面実装構造体の製造方法及びその両面実装構造体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 池内 寛幸 (外5名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000166356
Publication number (International publication number):2001345418
Application date: Jun. 02, 2000
Publication date: Dec. 14, 2001
Summary:
【要約】【課題】 回路基板の両面に封止樹脂を用いて電子部品を実装してなる両面実装構造体であって、生産歩留まりと信頼性の向上を図ることのできる両面実装構造体を得る。【解決手段】 IC基板1上に、公知の方法によって突起電極2を形成して、半導体装置とする。回路基板4上に、公知の方法によって上記半導体装置のフリップチップ実装を行う。導電性接着剤5の硬化を行った後に、ガラス転移点が約90°Cの封止樹脂7を供給し、150°Cで硬化を行って、実装構造体を得る。このようにして得られた実装構造体の裏面で、かつ、上記半導体装置と相対する位置に、公知の方法によって半導体装置のフリップチップ実装を行う。導電性接着剤5の硬化を行った後に、ガラス転移点が約130°Cの封止樹脂8を供給し、150°Cで硬化を行って、両面実装構造体を得る。
Claim (excerpt):
回路基板のいずれか一方の面に電子部品を実装し封止樹脂の硬化を行った後に、前記回路基板の他方の面に電子部品を実装し封止樹脂の硬化を行う両面実装構造体の製造方法であって、先に電子部品を実装する回路基板面に用いる封止樹脂のガラス転移点を、後に電子部品を実装する回路基板面に用いる封止樹脂のガラス転移点よりも低くすることを特徴とする両面実装構造体の製造方法。
IPC (5):
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311
FI (3):
H01L 21/56 T ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 25/08 Z
F-Term (9):
5F044KK01 ,  5F044LL07 ,  5F044RR17 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061CB12 ,  5F061CB13 ,  5F061DE03

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