高性能のCdxZn1-xTe(0≦x≦1)のX線及びγ線の放射線検出器およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：杉村憲司 , 杉村興作 , 来間清志 , 藤谷史朗 , 澤田達也 , 野田裕子
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2008512412
Publication number (International publication number)：2008546177
Application date： May. 16, 2006
Publication date： Dec. 18, 2008
Summary：

本発明は、II-VI化合物で形成された結晶基板と、基板の一面の相当な部分を覆う第1電極とを備える放射線検出器である。複数の第2電極、分割電極が、第1電極の反対側の基板の表面上に間隔を空けて設けられている。保護層が、第1電極の反対側の基板の表面上の第2電極間に堆積されている。また、本発明は、前記放射線検出器を形成する方法でもある。

Claim (excerpt)：

II-VI化合物で形成された結晶基板と、基板の一面の相当な部分を覆う第1電極と、第1電極の反対側の基板の表面上に間隔を空けて設けられている複数の第2電極と、第1電極の反対側の基板の表面上の第2電極間にある保護層とを備える放射線検出器。

IPC (3)：

H01L 27/14 , G01T 1/24 , H01L 31/09

FI (3)：

H01L27/14 K , G01T1/24 , H01L31/00 A

F-Term (21)：

2G088EE29 , 2G088FF02 , 2G088FF04 , 2G088GG21 , 2G088JJ31 , 2G088JJ37 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA14 , 4M118CA32 , 4M118CB01 , 4M118CB05 , 4M118GA10 , 4M118HA27 , 5F088AB09 , 5F088BA04 , 5F088BA13 , 5F088FA09 , 5F088FA12 , 5F088LA07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体撮像デバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平10-547747 Applicant：シマゲオユ
放射検出器および撮像素子のための半導体基板上の接点形成
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-520190 Applicant：シマゲオユ
半導体放射線検出器およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-158264 Applicant：株式会社ジャパンエナジー

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