銅合金スパッタリングターゲット

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：富田和夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001102996
Publication number (International publication number)：2002294437
Application date： Apr. 02, 2001
Publication date： Oct. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】ターゲットとバッキングプレートを熱間静水圧プレスにより接合する際に、結晶粒成長が小さい銅合金スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】V,Nb,Mn,Fe,Co,Niの内のグループから選ばれた1種以上の成分とSc,Al,Y,Crの内のグループから選ばれた1種以上の成分との合計が0.005〜0.5質量%となるように含み、酸素:0.1〜5ppmを含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなるスパッタリングターゲットとバッキングプレートを熱間静水圧プレスにより接合させてなるバッキングプレート付き銅合金スパッタリングターゲット。

Claim (excerpt)：

V,Nb,Mn,Fe,Co,Ni,Zn,Mgの内のグループから選ばれた1種以上の成分とSc,Al,Y,Crの内のグループから選ばれた1種以上の成分との合計が0.005〜0.5質量%となるように含み、酸素:0.1〜5ppmを含み、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなることを特徴とする銅合金スパッタリングターゲット。

IPC (6)：

C23C 14/34 , C22C 9/00 , C22C 9/05 , C22C 9/06 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301

FI (6)：

C23C 14/34 A , C22C 9/00 , C22C 9/05 , C22C 9/06 , H01L 21/285 S , H01L 21/285 301 Z

F-Term (12)：

4K029BA21 , 4K029BC01 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029DC04 , 4K029DC07 , 4K029DC08 , 4K029DC22 , 4M104BB04 , 4M104CC01 , 4M104DD40 , 4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

スパッタリングターゲットおよび銅配線膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-345394 Applicant：株式会社東芝
拡散接合スパッターターゲットアセンブリとそれを製造する方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-592462 Applicant：トーソーエスエムディー,インク.
金属薄膜形成用スパッタリング・ターゲット並びにその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-118953 Applicant：同和鉱業株式会社

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