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J-GLOBAL ID:200903064988238175

混成集積回路装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 秋田 収喜
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995268354
Publication number (International publication number):1997116091
Application date: Oct. 17, 1995
Publication date: May. 02, 1997
Summary:
【要約】【課題】 実装面積の縮小化が図れる小型の高周波パワーモジュールの提供。【解決手段】 低温焼成多層配線基板と、前記多層配線基板の主面に搭載される少なくとも一つ以上の能動部品(FETチップ)および受動部品と、前記能動部品の電極と前記多層配線基板の配線(Ag-Pt)とを接続する導電性のワイヤと、前記多層配線基板の主面を覆うように多層配線基板に固定されるキャップと、前記多層配線基板の裏面に設けられた前記多層配線の複数の電極端子とを有する。多層配線基板は下部がストリップライン構造となり、上部がマイクロストリップライン構造となっている。グランド配線は編み目構造となっている。半導体チップは多層配線基板の主面に設けられた窪みに固定され、半導体チップの電極面と前記多層配線基板の配線面の高さは略同一高さとなっている。半導体チップの下にはサーマルビィアが設けられている。
Claim (excerpt):
多層配線基板と、前記多層配線基板の主面に搭載される少なくとも一つ以上の能動部品および受動部品と、前記能動部品の電極と前記多層配線基板の配線とを接続する導電性のワイヤと、前記多層配線基板の主面を覆うように多層配線基板に固定されるキャップと、前記多層配線基板の裏面に設けられた前記多層配線の複数の電極端子とを有することを特徴とする混成集積回路装置。
IPC (3):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/04
FI (2):
H01L 25/04 C ,  H01L 25/04 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
  • ハイブリッドIC
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-019793   Applicant:日本電気株式会社
  • 高周波回路
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-243029   Applicant:松下電子工業株式会社
  • 特開昭63-070442
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