高周波集積回路装置およびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：滝本智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996062368
Publication number (International publication number)：1996321567
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】小型で製造工数が削減できると同時に、低い熱抵抗により、大電力を消費する回路でも構成できる携帯電話等の移動体通信用の高周波集積回路装置を提供する。【解決手段】凹部12を有するセラミック多層基板2の表面上にチップ部品3を、凹部に半導体チップ1を配置し、低抵抗であることを要するバイアス回路や高周波整合回路の配線パターンが幅広化されてセラミック多層基板2の表層または内層に形成された立体的回路構成をとった高周波集積回路装置。凹部に配置された半導体チップ1と凹部の内部に設けられた凹部中間面14の間を接続手段であるワイヤーで接続され、それらを覆うポッティング樹脂7が凹部12中にあってセラミック多層基板2の表面よりも外側に凸出しない構成の高周波集積回路装置。チップ部品3上には保護コート材16が施されている高周波集積回路装置。

Claim (excerpt)：

少なくとも2層以上からなる多層基板上に凹部を有しており、前記凹部中に半導体チップが搭載されているとともに、前記多層基板表面上の前記凹部以外の部分にチップ部品が搭載され、前記多層基板の表層と内層に回路配線層が形成されていることを特徴とする高周波集積回路装置。

IPC (9)：

H01L 23/12 , H01L 21/52 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 25/00 , H01L 25/04 , H01L 25/18 , H05K 1/03 610 , H05K 3/46

FI (8)：

H01L 23/12 N , H01L 21/52 C , H01L 25/00 B , H05K 1/03 610 G , H05K 3/46 Q , H05K 3/46 T , H01L 23/30 B , H01L 25/04 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭60-010647
電力用モジユール
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-065390 Applicant：松下電器産業株式会社
電力増幅器の実装構造
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-333406 Applicant：沖電気工業株式会社

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