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J-GLOBAL ID：200903065035255028

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor：
奥 保成

About 奥 保成

, 
亀井 英徳

About 亀井 英徳


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998348078
Publication number (International publication number)：2000174341
Application date： Dec. 08, 1998
Publication date： Jun. 23, 2000
Summary：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用い、この基板の側を主発光面側とする発光素子において、発光素子直上での配光特性を改善するとともに、発光強度を高く保持することができる新規な構造を提供することを目的とする。【解決手段】 n型の窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板1とInを含む活性層3とを包含するダブルヘテロ構造を備え、前記基板1に接続される電極を有する半導体発光素子において、前記基板1と前記活性層3との間に、電子濃度が1×1016cm-3未満である中間層2を有する構成とすることによって、主発光面側に配置される電極を不要とし主発光面側から均一な面発光を得ることができる。
Claim (excerpt)：
n型の窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板とInを含む活性層とを包含するダブルヘテロ構造を備え、前記基板に接続される電極を有する半導体発光素子であって、前記基板と前記活性層との間に、電子濃度が1×1016cm-3未満である中間層を有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673
F-Term (38)：
5F041AA04 ,  5F041AA05 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA13 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041DA02 ,  5F041DA04 ,  5F041DA07 ,  5F041DA19 ,  5F041DA41 ,  5F041DB01 ,  5F041FF01 ,  5F073AA44 ,  5F073AA73 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB13 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073EA07 ,  5F073EA24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 半導体発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-321026   Applicant：豊田合成株式会社
  • 青色発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-238553   Applicant：三菱電線工業株式会社
  • 3-5族化合物半導体の製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-213280   Applicant：住友化学工業株式会社
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