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J-GLOBAL ID:200903065077602305

酸化物超電導材料及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  亀松 宏 ,  西山 雅也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004245480
Publication number (International publication number):2006062896
Application date: Aug. 25, 2004
Publication date: Mar. 09, 2006
Summary:
【課題】 有効なピンニングセンターの導入により、臨界電流密度が高い酸化物バルク超電導体を提供する。【解決手段】 RE1+xBa2-xCu3Oy(0≦x≦0.1、6.5≦y≦7.2、REはY、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Ybの群から選ばれた少なくとも一つの元素)結晶中に、ピンニングセンターとしてBaCeO3あるいはBa(Ce1-aMa)O3-b(0<a<0.5、0≦b≦0.5、MはZr、Hf、Sn等の金属元素)相の粒子が分散しており、且つ、Pt又はRhの一方又は双方が添加されていることを特徴とする酸化物超電導材料。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
RE1+xBa2-xCu3Oy(0≦x≦0.1、6.5≦y≦7.2、REはY、La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Ybの群から選ばれた少なくとも一つの元素)結晶中に、Ce及びBaを含む複合酸化物の粒子が分散しており、且つ、Pt又はRhの一方又は双方が添加されていることを特徴とする酸化物超電導材料。
IPC (6):
C01G 3/00 ,  C01G 1/00 ,  C01G 19/00 ,  C01G 25/00 ,  H01B 12/00 ,  H01B 13/00
FI (6):
C01G3/00 ,  C01G1/00 S ,  C01G19/00 A ,  C01G25/00 ,  H01B12/00 ,  H01B13/00 565D
F-Term (19):
4G047JB06 ,  4G047JC03 ,  4G047KB04 ,  4G047KB11 ,  4G048AA03 ,  4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AC04 ,  4G048AD03 ,  4G048AE05 ,  5G321AA02 ,  5G321BA03 ,  5G321BA04 ,  5G321CA02 ,  5G321CA04 ,  5G321CA13 ,  5G321DB29 ,  5G321DB47 ,  5G321DB48
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (9)
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