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J-GLOBAL ID:200903065089190428
レジスト材料及びパターン形成方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小島 隆司 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000061014
Publication number (International publication number):2000347412
Application date: Mar. 06, 2000
Publication date: Dec. 15, 2000
Summary:
【要約】【解決手段】 フェノール誘導体のデンポリマー又はハイパーブランチポリマーからなる重量平均分子量が500〜10,000,000の高分子化合物をベースポリマーとして含むことを特徴とするレジスト材料。【効果】 本発明のレジスト材料は、十分な解像力を有し、ラインエッジラフネスが小さく、優れた耐ドライエッチング性を有し、化学増幅型レジスト材料として有効であり、またこの場合、ポジ型のみでなく、ネガ型に用いても優れた解像度を与える。
Claim (excerpt):
フェノール誘導体のデンポリマー又はハイパーブランチポリマーからなる重量平均分子量が500〜10,000,000の高分子化合物をベースポリマーとして含むことを特徴とするレジスト材料。
IPC (7):
G03F 7/039 601
, C08F 2/06
, C08F212/14
, C08J 3/24 CER
, G03F 7/038 601
, H01L 21/027
, C08L 25:18
FI (6):
G03F 7/039 601
, C08F 2/06
, C08F212/14
, C08J 3/24 CER Z
, G03F 7/038 601
, H01L 21/30 502 R
F-Term (68):
2H025AA00
, 2H025AA02
, 2H025AA09
, 2H025AC08
, 2H025AD01
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB17
, 2H025CB55
, 2H025CC03
, 2H025CC20
, 2H025FA01
, 2H025FA03
, 2H025FA12
, 2H025FA17
, 4F070AA17
, 4F070AB02
, 4F070AB09
, 4F070AB12
, 4F070AB22
, 4F070AC63
, 4F070AE08
, 4F070GA04
, 4F070GB05
, 4F070GB09
, 4F070GC09
, 4J011AA05
, 4J011BB01
, 4J011BB02
, 4J011DA04
, 4J011HA04
, 4J011HB02
, 4J011HB22
, 4J011PA65
, 4J011PB40
, 4J011PC02
, 4J011QA19
, 4J011RA10
, 4J011RA11
, 4J011RA15
, 4J011RA17
, 4J011TA10
, 4J011UA03
, 4J011UA08
, 4J011VA01
, 4J011WA01
, 4J100AB07P
, 4J100AB07Q
, 4J100BA02Q
, 4J100BA03P
, 4J100BA03Q
, 4J100BA04P
, 4J100BA12Q
, 4J100BA22Q
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100CA23
, 4J100CA31
, 4J100DA01
, 4J100DA04
, 4J100DA39
, 4J100FA03
, 4J100FA19
, 4J100HA53
, 4J100HD00
, 4J100JA38
Patent cited by the Patent: