窒化ガリウム系化合物半導体素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997123514
Publication number (International publication number)：1998303458
Application date： Apr. 24, 1997
Publication date： Nov. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】GaN 系化合物半導体素子の長波長化及び高出力化を実現すること。【解決手段】サファイア基板10の上には,AlNから成るバッファ層11,In0.20Ga0.80Nから成る熱膨張緩和層12,SiドープのGaNから成る高キャリア濃度n+層13,Al0.15Ga0.85Nから成る歪み層14,GaNから成るバリア層151とIn0.20Ga0.80Nから成る井戸層152とが交互に積層された多重量子井戸構造の発光層15,p型Al0.15Ga0.85Nから成るクラッド層16,p型GaNから成るコンタクト層17,及びCoとAuとから成る透光性の電極18A が順次積層されている。エッチングにより露出したn+層13上にはVとAlとから成る電極18B が形成されている。発光層15と異なる格子定数を有する歪み層14が発光層15の下側に設けられることにより, 格子定数差による歪みが発光層15に付与され,発光波長が長波長化する。又,熱膨張緩和層12を設けることにより基板10の熱膨張による影響を除去でき, 高出力化できる。

Claim (excerpt)：

活性層と異なる格子定数を有した第1の半導体層が前記活性層の基板側に設けられることにより、前記活性層と前記第1の半導体層との格子定数差により前記活性層に対して歪みが付与され、前記基板の熱膨張による前記活性層への歪みの影響を緩和する第2の半導体層が前記第1の半導体層に対して前記基板側に設けられたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-038157 Applicant：株式会社東芝
窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-314339 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化ガリウム系半導体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-310333 Applicant：松下電器産業株式会社

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