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J-GLOBAL ID：200903065096179723

非揮発性SONSNOSメモリ

Inventor： 蔡 洙杜 ,  金 柱亨 ,  金 ▲禎▼雨 ,  蔡 熙順 ,  柳 元壹
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 磯野 道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003345839
Publication number (International publication number)：2004134796
Application date： Oct. 03, 2003
Publication date： Apr. 30, 2004
Summary：

【課題】高速プログラミングが可能であって大容量のメモリを具現できる非揮発性SONSNOSメモリを提供する。【解決手段】基板のチャンネル上に積層される第1及び第2絶縁膜と、第1絶縁膜の上部と第2絶縁膜の下部に形成される第1及び第2誘電膜、並びに第1及び第2誘電膜間に介設されるIV族半導体膜、シリコン量子ドット、または金属量子ドットを含む非揮発性SONSNOSメモリ。【選択図】 図3

Claim (excerpt)：

所定間隔離隔されたソース及びドレーン電極並びに前記ソース及びドレーン電極間に電子が移動するチャンネルを含む半導体基板と、前記半導体基板の上部に前記チャンネルからの電子の流入を制御するゲート電極とを備えるメモリにおいて、 前記半導体基板のチャンネル上に積層される第1絶縁膜及び第2絶縁膜と、 前記第1絶縁膜の上部と第2絶縁膜の下部に形成される第1誘電膜及び第2誘電膜と、 前記第1誘電膜と第2誘電膜の間に介設されるIV族半導体膜とを含むことを特徴とするシリコン・オキシド・ナイトライド・シリコン・ナイトライド・オキシド・シリコン(SONSNOS)メモリ。

IPC (4)：

H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (2)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

F-Term (20)：

5F083EP17 ,  5F083EP22 ,  5F083ER02 ,  5F083ER16 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083PR21 ,  5F101BA45 ,  5F101BA47 ,  5F101BA54 ,  5F101BC11 ,  5F101BD02 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 不揮発性半導体記憶装置、その製造方法、その書き込み方法、その読み出し方法、記録媒体並びに半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-108123   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 半導体メモリ装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-230828   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-214451   Applicant：新日本製鐵株式会社
• メモリデバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-313309   Applicant：株式会社日立製作所
• 不揮発性半導体記憶素子および製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-213900   Applicant：小柳光正, 旭硝子株式会社
• 特公昭55-050394
  
• 特公昭55-032235
  
• 半導体素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-167391   Applicant：松下電器産業株式会社